采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60FTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60FTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2434pF@380V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60FTM
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功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2434pF@380V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FCP165N60E
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功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2434pF@380V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
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阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.5A，10V
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功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP165N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2434pF@380V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
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功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
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连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.5A，10V
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功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2434pF@380V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
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功率：227W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2434pF@380V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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