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    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1948pF@380V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT01N60T1G 起订561个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT01N60T1G 起订561个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":116000,"15+":1431,"16+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT01N60T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB5N60CTM-WS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB5N60CTM-WS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB5N60CTM-WS

    功率:100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2.25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD900N60Z 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD900N60Z 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD900N60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2N60CTM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2N60CTM

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.7Ω@10V,950mA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订73个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT061N60S5F 起订73个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT061N60S5F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:4.8V@4.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4175pF@400V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@20.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H 起订465个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H 起订465个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP602-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:70W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订163个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订163个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1948pF@380V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订36个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订36个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1223

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:54W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1440-TL-E 起订867个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1440-TL-E 起订867个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":296,"16+":25733}

    包装规格(MPQ):700psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1440-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:1W€20W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1Ω@800mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1948pF@380V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1948pF@380V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订204个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订204个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB20N60FTM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB20N60FTM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB20N60FTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.37nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:95pF@25V

    导通电阻:150mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL01N60ZT1G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL01N60ZT1G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDTL01N60ZT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:92pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD620N60ZF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD620N60ZF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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