品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800150DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8205pF@75V
连续漏极电流:15A€99A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"22+":5487,"MI+":2406}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC2512-P
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@75V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:425mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB390N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@75V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBGS4D1N15MC
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:88.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7285pF@75V
连续漏极电流:20A€185A
类型:N沟道
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB082N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:294W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:84 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6040 pF @ 25 V
连续漏极电流:117A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2552
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD120AN15A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@25V
连续漏极电流:2.8A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@10V,4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBGS4D1N15MC
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:88.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7285pF@75V
连续漏极电流:20A€185A
类型:N沟道
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86263P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3905pF@75V
连续漏极电流:4.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2715pF@75V
连续漏极电流:9.6A€35A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86240
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.3W(Ta),40W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905 pF @ 75 V
连续漏极电流:4.6A(Ta),16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:51 毫欧 @ 4.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@75V
连续漏极电流:4.5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB110N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4510pF@75V
连续漏极电流:92A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@92A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2532
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5870pF@25V
连续漏极电流:8A€79A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@33A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86260ET150
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@75V
连续漏极电流:5.4A€25A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@5.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP45N15V2
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3030pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@22.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2572
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:4A€29A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH055N15A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:429W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:92 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:9445 pF @ 75 V
连续漏极电流:158A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:5.9 毫欧 @ 120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1600,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0630N1507L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9895pF@75V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS034N15MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€62.5W
阈值电压:4.5V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@75V
连续漏极电流:6.1A€31A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@13A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP45N15V2
工作温度:-55℃~150℃
功率:220W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3030pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@22.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@75V
连续漏极电流:6.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86252
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@75V
连续漏极电流:4.6A€16A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@4.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":701,"22+":3610,"23+":2632}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86256
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€10W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@75V
连续漏极电流:1.2A€3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1pF@75V
导通电阻:695mΩ@10V,1.2A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86260
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@75V
连续漏极电流:5.4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@5.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@75V
连续漏极电流:6.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@75V
连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: