采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS037N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW€104.2W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5915pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：202}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4065-DL-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3140}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4065-DL-1EX
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS037N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW€104.2W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5915pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS037N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW€104.2W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5915pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：680，"21+"：146，"22+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS037N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW€104.2W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5915pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：815pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@6A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
