销售单位：个

规格型号(MPN)：BC516-D27Z

功率：625mW

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：1A

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

特征频率：200MHz

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMMBTA64LT1G

特征频率：125MHz

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：225mW

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14

集电极电流(Ic)：1.2A

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

工作温度：55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

功率：1W

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMMBTA64LT1G

特征频率：125MHz

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：225mW

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G

特征频率：125MHz

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：225mW

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G

特征频率：125MHz

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：225mW

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMMBTA14LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14

集电极电流(Ic)：1.2A

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

工作温度：55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

功率：1W

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV26

集电极电流(Ic)：1.2A

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

工作温度：55℃~150℃

特征频率：220MHz

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

功率：350mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G

特征频率：125MHz

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：225mW

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64LT3G

特征频率：125MHz

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：225mW

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMMBTA13LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27

集电极电流(Ic)：1.2A

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

工作温度：55℃~150℃

特征频率：220MHz

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

功率：350mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G

特征频率：125MHz

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：225mW

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT3G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64LT3G

特征频率：125MHz

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：225mW

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMMBTA13LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14

集电极电流(Ic)：1.2A

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

工作温度：55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

功率：1W

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV26

集电极电流(Ic)：1.2A

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

工作温度：55℃~150℃

特征频率：220MHz

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

功率：350mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMMBTA13LT1G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27

集电极电流(Ic)：1.2A

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

工作温度：55℃~150℃

特征频率：220MHz

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

功率：350mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA64LT1G

特征频率：125MHz

集射极击穿电压(Vceo)：30V

功率：225mW

集电极电流(Ic)：500mA

工作温度：55℃~150℃

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT3G

特征频率：125MHz

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

工作温度：55℃~150℃

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV26

集电极电流(Ic)：1.2A

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

工作温度：55℃~150℃

特征频率：220MHz

晶体管类型：PNP

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：100nA

功率：350mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC516-D27Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA64

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1