采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：87000，"14+"：5980}
规格型号(MPN)：ECH8419-TL-H
输入电容：960pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@1mA
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
漏源电压：35V
导通电阻：17mΩ@5A，10V
连续漏极电流：9A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
栅极电荷：8.5nC@4.5V
类型：N沟道
输入电容：865pF@10V
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：9A
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C09NT1G
输入电容：1252pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：9A
栅极电荷：10.9nC@4.5V
功率：760mW€25.5W
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6692A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@9A，10V
连续漏极电流：9A
功率：1.47W
输入电容：1610pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：2076，"10+"：7245}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-150-1G
导通电阻：150mΩ@4.5A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：280pF@25V
功率：1.5W€28.8W
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
输入电容：1030pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9A
功率：44W
栅极电荷：35nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
阈值电压：2V@250µA
功率：2.5W€55W
连续漏极电流：9A
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
阈值电压：2V@250µA
功率：2.5W€55W
连续漏极电流：9A
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
栅极电荷：8.5nC@4.5V
类型：N沟道
输入电容：865pF@10V
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：9A
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C09NT1G
输入电容：1252pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：9A
栅极电荷：10.9nC@4.5V
功率：760mW€25.5W
ECCN：EAR99
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C09NT1G
输入电容：1252pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：9A
栅极电荷：10.9nC@4.5V
功率：760mW€25.5W
ECCN：EAR99
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
栅极电荷：8.5nC@4.5V
类型：N沟道
输入电容：865pF@10V
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：9A
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
栅极电荷：8.5nC@4.5V
类型：N沟道
输入电容：865pF@10V
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：9A
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：472}
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
阈值电压：2V@250µA
功率：2.5W€55W
连续漏极电流：9A
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085P
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
阈值电压：2V@250µA
功率：2.5W€55W
连续漏极电流：9A
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：4645}
规格型号(MPN)：FDS8882
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.5W
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：9A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：20mΩ@9A，10V
输入电容：940pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD3055-150T4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1443-W
工作温度：150℃
功率：1W€19W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：散装
输入电容：490pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD3055L170T4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@4.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C09NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：10.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：30，"22+"：60}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDUL09N150CG
工作温度：150℃
功率：3W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2025pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-150T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4645}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：995，"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1170pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：87000，"14+"：5980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8419-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-150T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
