品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86248
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:4V@250mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@75V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":895,"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF5P20
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@1.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":28334,"14+":39000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A39PZCTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:208pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86248
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:4V@250mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@75V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86248
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:4V@250mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@75V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86248
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:4V@250mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@75V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:208pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86248
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:4V@250mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@75V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86248
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:4V@250mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@75V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:208pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":5000,"21+":5040,"MI+":5040}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N40TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€45W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@1.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:208pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A39PZCTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N40TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€45W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@1.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:208pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9400A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86248
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:4V@250mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@75V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT458P
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86248
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:4V@250mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@75V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: