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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
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功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
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输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
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漏源电压：20V
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功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
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输入电容：165pF@5V
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
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功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
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功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
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功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
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输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
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输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
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功率：400mW
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输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
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输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
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规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
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功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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