采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
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连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
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功率：44W
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
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功率：44W
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输入电容：1300pF@25V
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
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规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
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类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
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功率：44W
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类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
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行业应用：工业,汽车
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类型：1个N沟道
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规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
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连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
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输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7852，"MI+"：1585}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
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连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7852，"MI+"：1585}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6346，"22+"：2251，"23+"：930，"MI+"：1924}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7852，"MI+"：1585}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.88nF@400V
连续漏极电流：49A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
功率：44W
连续漏极电流：49A
ECCN：EAR99
输入电容：1300pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：7852，"MI+"：1585}
规格型号(MPN)：NTBL050N65S3H
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4V@4.8mA
类型：1个N沟道
功率：305W
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：4.88nF@400V
漏源电压：650V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：49A
导通电阻：42.5mΩ@10V，24.5A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
功率：44W
连续漏极电流：49A
输入电容：1300pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
功率：44W
连续漏极电流：49A
ECCN：EAR99
输入电容：1300pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
