品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF2955T1G
输入电容:492pF@25V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.7A
导通电阻:185mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:14.3nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
阈值电压:4V@1mA
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT3G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:900mW
导通电阻:155mΩ@1A,10V
输入电容:182pF@25V
栅极电荷:5.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5630
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@1.7A,10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:10nC@10V
功率:500mW
输入电容:400pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:900mW
导通电阻:155mΩ@1A,10V
输入电容:182pF@25V
栅极电荷:5.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
功率:1.1W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5630
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@1.7A,10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:10nC@10V
功率:500mW
输入电容:400pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS355AN
输入电容:195pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:85mΩ@1.9A,10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5nC@5V
功率:500mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5198NLT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:900mW
栅极电荷:2.8nC@4.5V
导通电阻:155mΩ@1A,10V
输入电容:182pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS355AN
输入电容:195pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:85mΩ@1.9A,10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5nC@5V
功率:500mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT3G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:900mW
导通电阻:155mΩ@1A,10V
输入电容:182pF@25V
栅极电荷:5.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT3G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:900mW
导通电阻:155mΩ@1A,10V
输入电容:182pF@25V
栅极电荷:5.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF2955T1G
输入电容:492pF@25V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.7A
导通电阻:185mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:14.3nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
阈值电压:4V@1mA
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN335N
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:310pF@10V
栅极电荷:5nC@4.5V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5198NLT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:900mW
栅极电荷:2.8nC@4.5V
导通电阻:155mΩ@1A,10V
输入电容:182pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
功率:1.1W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5198NLT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:900mW
栅极电荷:2.8nC@4.5V
导通电阻:155mΩ@1A,10V
输入电容:182pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN335N
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:310pF@10V
栅极电荷:5nC@4.5V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN335N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN335N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF2955T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:185mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5630
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS355AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: