采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：215nC@10V
输入电容：8.66nF@100V
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ@10V，26A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：215nC@10V
输入电容：8.66nF@100V
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ@10V，26A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：215nC@10V
输入电容：8.66nF@100V
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ@10V，26A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：215nC@10V
输入电容：8.66nF@100V
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ@10V，26A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：215nC@10V
输入电容：8.66nF@100V
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ@10V，26A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：215nC@10V
输入电容：8.66nF@100V
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ@10V，26A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：215nC@10V
输入电容：8.66nF@100V
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ@10V，26A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60F
导通电阻：72mΩ@10V，26A
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：215nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：8.66nF@100V
功率：481W
类型：1个N沟道
漏源电压：600V
连续漏极电流：52A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH072N60F
导通电阻：72mΩ@10V，26A
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：215nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：8.66nF@100V
功率：481W
类型：1个N沟道
漏源电压：600V
连续漏极电流：52A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.9nF@25V
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.9nF@25V
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
