品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS037N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW€104.2W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5915pF@37.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86320
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@40V
连续漏极电流:10.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3662
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@50V
连续漏极电流:8.9A€49A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP100N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:208W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7300pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7680pF@30V
连续漏极电流:29A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS039N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@40V
连续漏极电流:19.4A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11530pF@30V
连续漏极电流:32A€155A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15265pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7005pF@40V
连续漏极电流:24A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7005pF@40V
连续漏极电流:24A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF680N10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80060DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20170pF@30V
连续漏极电流:43A€292A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@43A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD2670
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€70W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1228pF@100V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@3.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":893}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP027N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86320
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@40V
连续漏极电流:10.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:25A€130A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:25A€130A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7005pF@40V
连续漏极电流:24A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP025N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:226nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14885pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7680pF@30V
连续漏极电流:29A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: