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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS037N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW€104.2W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5915pF@37.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86320

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@40V

    连续漏极电流:10.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB024N08BL7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3662 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3662

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4620pF@50V

    连续漏极电流:8.9A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP100N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP100N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:208W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7300pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500DC 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500DC 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86500DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7680pF@30V

    连续漏极电流:29A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS039N08B 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS039N08B 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS039N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7600pF@40V

    连续漏极电流:19.4A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86550

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:154nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11530pF@30V

    连续漏极电流:32A€155A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.65mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP047N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP047N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15265pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300DC 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300DC 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86300DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:101nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7005pF@40V

    连续漏极电流:24A€76A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@24A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0200N100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:429W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9760pF@50V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550ET60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550ET60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86550ET60

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€187W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:154nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8235pF@30V

    连续漏极电流:32A€245A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.65mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86300DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:101nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7005pF@40V

    连续漏极电流:24A€76A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@24A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T 起订534个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T 起订534个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF680N10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT80060DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT80060DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT80060DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20170pF@30V

    连续漏极电流:43A€292A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€70W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订59个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订59个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":893}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP027N08B-F102 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP027N08B-F102 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP027N08B-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86320

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@40V

    连续漏极电流:10.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86350 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86350 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86350

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10680pF@40V

    连续漏极电流:25A€130A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86350 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86350 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86350

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€156W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10680pF@40V

    连续漏极电流:25A€130A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86300DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:101nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7005pF@40V

    连续漏极电流:24A€76A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@24A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP025N06 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP025N06 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP025N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:395W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:226nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14885pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86500DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86500DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:107nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7680pF@30V

    连续漏极电流:29A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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