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    品牌: ON SEMI
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    阈值电压: 2.5V@250µA
    当前匹配商品:1500+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NT4G 起订971个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NT4G 起订971个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2974,"10+":202,"12+":199,"13+":564,"14+":63445,"16+":7500,"18+":39000,"19+":22914,"21+":27500,"22+":3872}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4858NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€54.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1563pF@12V

    连续漏极电流:11.2A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3808NT4G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3808NT4G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":59025}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3808NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1660pF@12V

    连续漏极电流:12A€76A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4884NFR2G 起订1527个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD4884NFR2G 起订1527个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":7085,"09+":2310,"10+":2500,"11+":31427}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMD4884NFR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NAT4G 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806NAT4G 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2500,"18+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806NAT4G

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4917NR2G 起订481个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4917NR2G 起订481个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":59502}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4917NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:880mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1054pF@25V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4108NT1G 起订553个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4108NT1G 起订553个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":14194,"08+":50,"09+":822}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4108NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€96.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@21A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810NT4G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810NT4G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2900,"13+":770}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4810NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12V

    连续漏极电流:9A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4916NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1376pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":265,"10+":63975}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4815NH-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.26W€32.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:845pF@12V

    连续漏极电流:6.9A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8820 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8820 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8820

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5315pF@15V

    连续漏极电流:28A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD5867NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3D5N08LC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3D5N08LC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3D5N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:19A€136A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@45A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4865NT4G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4865NT4G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":22500,"11+":517500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4865NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€33.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:827pF@12V

    连续漏极电流:8.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4809NT4G 起订1283个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD4809NT4G 起订1283个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":11480}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD4809NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@11.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1456pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4939NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N06CLTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N06CLTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€294.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16200pF@25V

    连续漏极电流:62.2A€477A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.68mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8896 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8896 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8896

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2525pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8820 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8820 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8820

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5315pF@15V

    连续漏极电流:28A€116A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@28A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N04CLTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N04CLTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€205W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12238pF@25V

    连续漏极电流:67A€433A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.63mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002ET1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002ET1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.81nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26.7pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@240mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4979N-35G 起订1086个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4979N-35G 起订1086个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":10875}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4979N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.38W€26.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:837pF@15V

    连续漏极电流:9.4A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N04CLTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N04CLTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€205W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12238pF@25V

    连续漏极电流:67A€433A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.63mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4805NT4G 起订677个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4805NT4G 起订677个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":65000,"22+":180000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4805NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.41W€79W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@11.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2865pF@12V

    连续漏极电流:12.7A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NH-35G 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NH-35G 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":39440,"09+":57,"10+":24375}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2155pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4851NT1G 起订1002个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4851NT1G 起订1002个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":39610,"10+":16500,"11+":3000,"12+":24000,"18+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4851NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:870mW€41.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@12V

    连续漏极电流:9.5A€66A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002WT1G 起订17个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002WT1G 起订17个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002WT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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