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    品牌: ON SEMI
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    栅极电荷: 32nC@10V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C454NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:19A€82A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:29A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:29A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4857NA-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4857NA-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":5700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4857NA-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1960pF@12V

    连续漏极电流:12A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:29A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5690 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5690 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1107pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:29A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C454NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:19A€82A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5690 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5690 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1107pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C454NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:19A€82A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4857NA-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4857NA-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4857NA-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1960pF@12V

    连续漏极电流:12A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:29A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF06N62ZG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF06N62ZG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF06N62ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:31W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:923pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:620V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5690 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5690 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1107pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5690 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5690 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1107pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5690 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5690 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1107pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP22N06 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP22N06 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"01+":1000,"03+":1670,"04+":1567}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP22N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5690-NBBM009A 起订556个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5690-NBBM009A 起订556个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5690-NBBM009A

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1107pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB22N06T4 起订1527个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB22N06T4 起订1527个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"02+":2400,"03+":800,"04+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB22N06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:29A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C454NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:19A€82A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D4N04CTWG 起订543个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D4N04CTWG 起订543个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1917,"MI+":2792}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D4N04CTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€83W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:30A€138A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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