品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD4N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:360nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14365pF@100V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":116000,"15+":1431,"16+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT01N60T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":11490,"10+":2950,"11+":18000,"12+":9000,"14+":942,"9999":500,"MI+":13000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF04N60ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":446}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4125
工作温度:150℃
功率:2.5W€170W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N60CTM-WS
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":766}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP170N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@380V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":25185,"12+":3000,"13+":675,"14+":326825,"15+":75,"18+":13350,"9999":75}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD02N60Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:管件
输入电容:274pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH041N60F-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:595W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:347nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10900pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA20N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3080pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP7N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":45500,"13+":33100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF03N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2475,"15+":6750,"9999":1541}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD01N60-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@200mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD4N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF7N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT061N60S5F
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:4.8V@4.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@400V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:61mΩ@20.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":10471}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4087LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD900N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH070N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:166nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4925pF@380V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF12N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1676pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH170N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@380V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB11N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2965,"17+":6400,"18+":79000,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP380N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1665pF@25V
连续漏极电流:10.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8000F@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF7N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.25Ω@3.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: