采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：117000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLGF3402PT2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：24+
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
