采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3992
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3992
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3992
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3992
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3992
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6621}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89141
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：398pF@50V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
