品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:635pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN352AP
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
导通电阻:180mΩ@1.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN352AP
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
导通电阻:180mΩ@1.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN302P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
输入电容:882pF@10V
栅极电荷:14nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1312pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN302P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
输入电容:882pF@10V
栅极电荷:14nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1312pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN308P
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:125mΩ@1.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:341pF@10V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304PZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1312pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1312pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:635pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441T1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:480pF@5V
导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V
连续漏极电流:1.65A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1312pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:635pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":2741}
规格型号(MPN):NTGS3443T1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
连续漏极电流:2.2A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:15nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441T1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:480pF@5V
导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V
连续漏极电流:1.65A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN352AP
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:1.3A
导通电阻:180mΩ@1.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN360P
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:298pF@15V
导通电阻:80mΩ@2A,10V
连续漏极电流:2A
功率:500mW
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN340P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:779pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN308P
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:125mΩ@1.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:341pF@10V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN360P
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:298pF@15V
导通电阻:80mΩ@2A,10V
连续漏极电流:2A
功率:500mW
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5618P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.25A
漏源电压:60V
栅极电荷:13.8nC@10V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:430pF@30V
导通电阻:170mΩ@1.25A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:635pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN306P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V
栅极电荷:17nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:1138pF@6V
漏源电压:12V
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3455T1G
栅极电荷:13nC@10V
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
类型:P沟道
连续漏极电流:2.5A
输入电容:480pF@5V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: