品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9431A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":42200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:528pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":235,"23+":1866}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":464}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1845pF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6679AZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3845pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:9.3mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":235,"23+":1866}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:528pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9431A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6681Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6679AZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3845pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:9.3mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4465
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:120nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8237pF@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1845pF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1845pF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1872pF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6681Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: