采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002LT1G
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002LT7G
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170LT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170LT1G
导通电阻：5Ω@200mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002LT3G
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002LT7G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：115mA
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS123LT1G
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6Ω@100mA，10V
阈值电压：2.8V@1mA
类型：N沟道
漏源电压：100V
功率：225mW
输入电容：20pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2V7002LT1G
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170LT1G
导通电阻：5Ω@200mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
连续漏极电流：300mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS123LT1G
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6Ω@100mA，10V
类型：N沟道
输入电容：20pF@25V
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002LT1G
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS123LT1G
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6Ω@100mA，10V
类型：N沟道
输入电容：20pF@25V
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVMBF0201NLT1G
连续漏极电流：300mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
阈值电压：2.4V@250µA
漏源电压：20V
类型：N沟道
ECCN：EAR99
导通电阻：1Ω@300mA，10V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF0201NLT1G
连续漏极电流：300mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002LT3G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：115mA
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
