品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76429S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":241}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB150N10
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@49A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":620,"21+":186,"22+":4476}
销售单位:个
规格型号(MPN):HUFA76429D3ST-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL640A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1.705nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@5V,9A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76429S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQAF16N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@5.65A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76429S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:150A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:150A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:150A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8874
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2990pF@15V
连续漏极电流:18A€116A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8874
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2990pF@15V
连续漏极电流:18A€116A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76429S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: