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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJE703G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

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工作温度：55℃~150℃

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ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：872，"09+"：1001，"11+"：2373，"12+"：500，"14+"：2492，"18+"：200}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJE703G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

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包装方式：散装

晶体管类型：PNP

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BD680G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

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包装方式：散装

晶体管类型：PNP

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BD679AS

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包装方式：散装

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJE702G

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生产批次：{"20+"：350，"22+"：2186}

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生产批次：{"20+"：350，"22+"：2186}

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生产批次：{"08+"：872，"09+"：1001，"11+"：2373，"12+"：500，"14+"：2492，"18+"：200}

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规格型号(MPN)：MJE703G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

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包装方式：散装

晶体管类型：PNP

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销售单位：个

包装规格(MPQ)：500psc

规格型号(MPN)：MJE703G

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规格型号(MPN)：2N6036G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

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晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

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生产批次：{"20+"：350，"22+"：2186}

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规格型号(MPN)：BD679G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJE703G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@40mA，2A

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晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BD680G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

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晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

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规格型号(MPN)：BD679G

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晶体管类型：NPN

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MJE703G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@40mA，2A

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晶体管类型：PNP

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销售单位：个

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生产批次：{"23+"：835}

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晶体管类型：PNP

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规格型号(MPN)：BD679AS

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晶体管类型：NPN

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BD679AS

集射极击穿电压(Vceo)：80V

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包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BD679AS

集射极击穿电压(Vceo)：80V

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包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

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生产批次：{"22+"：2500}

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ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJE703G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@40mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

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