品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUB323ZT4G
集射极击穿电压(Vceo):350V
集电极电流(Ic):10A
功率:150W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:2MHz
工作温度:65℃~175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.7V@250mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):500@5A,4.6V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2552
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":302396,"MI+":24922}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUB323ZT4G
集射极击穿电压(Vceo):350V
集电极电流(Ic):10A
功率:150W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:2MHz
工作温度:65℃~175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.7V@250mA,10A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):500@5A,4.6V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":384,"22+":2423}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":607}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2552-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2552
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2520pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2552
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: