包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDP2552

工作温度：-55℃~175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：51nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2800pF@25V

连续漏极电流：5A€37A

类型：N沟道

导通电阻：36mΩ@16A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11019G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RFP70N06

工作温度：-55℃~175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：156nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2250pF@25V

连续漏极电流：70A

类型：N沟道

导通电阻：14mΩ@70A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RFP70N06

工作温度：-55℃~175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：156nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2250pF@25V

连续漏极电流：70A

类型：N沟道

导通电阻：14mΩ@70A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11021G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：0，"MI+"：3253}

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11021G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDP42AN15A0

工作温度：-55℃~175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：39nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2150pF@25V

连续漏极电流：5A€35A

类型：N沟道

导通电阻：42mΩ@12A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11017G

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11021G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：0，"MI+"：3253}

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11021G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11019G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RFP70N06

工作温度：-55℃~175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：156nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2250pF@25V

连续漏极电流：70A

类型：N沟道

导通电阻：14mΩ@70A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RFP70N06

工作温度：-55℃~175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：156nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2250pF@25V

连续漏极电流：70A

类型：N沟道

导通电阻：14mΩ@70A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11019G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDP42AN15A0

工作温度：-55℃~175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：39nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2150pF@25V

连续漏极电流：5A€35A

类型：N沟道

导通电阻：42mΩ@12A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11022G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11022G

集射极击穿电压(Vceo)：250V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RFP70N06

工作温度：-55℃~175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：156nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2250pF@25V

连续漏极电流：70A

类型：N沟道

导通电阻：14mΩ@70A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FQA9P25

工作温度：-55℃~150℃

功率：150W

阈值电压：5V@250µA

栅极电荷：38nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1180pF@25V

连续漏极电流：10.5A

类型：P沟道

导通电阻：620mΩ@5.25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDP42AN15A0

工作温度：-55℃~175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：39nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2150pF@25V

连续漏极电流：5A€35A

类型：N沟道

导通电阻：42mΩ@12A，10V

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJH11020G

集射极击穿电压(Vceo)：200V

集电极电流(Ic)：15A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

特征频率：3MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@150mA，15A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：400@10A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：RFP70N06

工作温度：-55℃~175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：156nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2250pF@25V

连续漏极电流：70A

类型：N沟道

导通电阻：14mΩ@70A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1