采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJST1D2N04CTXG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：454W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：451A
类型：MOSFET
导通电阻：1.25mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJST1D2N04CTXG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：454W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：451A
类型：MOSFET
导通电阻：1.25mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJST1D2N04CTXG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：454W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：451A
类型：MOSFET
导通电阻：1.25mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJST1D2N04CTXG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：454W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：451A
类型：MOSFET
导通电阻：1.25mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJST1D2N04CTXG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：454W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：451A
类型：MOSFET
导通电阻：1.25mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJST1D2N04CTXG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：454W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：451A
类型：MOSFET
导通电阻：1.25mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJST1D2N04CTXG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：454W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：451A
类型：MOSFET
导通电阻：1.25mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4.63V@37mA
连续漏极电流：104A
栅极电荷：337nC@18V
导通电阻：20mΩ@74A，18V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
输入电容：6313pF@800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：NVMJST1D2N04CTXG
阈值电压：4V
包装方式：Reel
漏源电压：40V
栅极电荷：82nC
导通电阻：1.25mΩ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：454W
连续漏极电流：451A
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：NVMJST1D2N04CTXG
阈值电压：4V
包装方式：Reel
漏源电压：40V
栅极电荷：82nC
导通电阻：1.25mΩ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：454W
连续漏极电流：451A
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：454W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：337nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6313pF@800V
连续漏极电流：104A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
