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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：39440，"09+"：57，"10+"：24375}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NH-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2155pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1415，"09+"：1425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NA-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1456pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4959NHT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2155pF@12V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：2500，"08+"：188500，"09+"：2200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1456pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：48500，"07+"：37500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1456pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4959NHT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2155pF@12V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4959NHT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2155pF@12V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：180，"11+"：27453，"12+"：104534，"14+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NHT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2155pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：2500，"08+"：188500，"09+"：2200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1456pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：180，"11+"：27453，"12+"：104534，"14+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NHT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2155pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：39440，"09+"：57，"10+"：24375}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NH-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2155pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NH-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2155pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NH-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2155pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NA-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1456pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1456pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4959NHT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2155pF@12V
连续漏极电流：9A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NHT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2155pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1456pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NHT4G
导通电阻：9mΩ@30A，10V
输入电容：2155pF@12V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：1.3W€52W
连续漏极电流：9.6A€58A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：15nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：7500}
规格型号(MPN)：NTD4959NHT4G
导通电阻：9mΩ@30A，10V
输入电容：2155pF@12V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：9A€58A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：1.3W€52W
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：44nC@11.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NA-35G
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：1.3W€52W
连续漏极电流：9.6A€58A
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1456pF@12V
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：225，"08+"：3399}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NH-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2155pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1456pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NH-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2155pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1415，"09+"：1425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NA-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1456pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NH-1G
导通电阻：9mΩ@30A，10V
输入电容：2155pF@12V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：1.3W€52W
连续漏极电流：9.6A€58A
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
栅极电荷：15nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
