采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NLT1G-UIL5
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：36A€235A
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
功率：3.8W€167W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"03+"：1445，"04+"：1534，"05+"：44100，"06+"：30270，"07+"：230625，"08+"：139，"10+"：3000，"9999"：4900，"MI+"：11653}
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：NTD60N02R-1G
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：14nC@4.5V
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：8.5A€32A
功率：1.25W€58W
包装方式：管件
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
输入电容：440pF@25V
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：15nC@5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：1.3W
连续漏极电流：3A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C612NLAFT1G
栅极电荷：91nC@10V
连续漏极电流：38A€250A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.36mΩ@50A，10V
功率：3.8W€167W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：4300pF@20V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200A
漏源电压：40V
功率：3.8W€110W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C646NLAFT1G
输入电容：2164pF@25V
包装方式：卷带（TR）
功率：3.7W€79W
栅极电荷：33.7nC@10V
连续漏极电流：20A€93A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：4300pF@20V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：38A€200A
功率：3.8W€110W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：4943}
规格型号(MPN)：NILMS4501NR2
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
栅极电荷：25nC@10V
漏源电压：24V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
输入电容：1500pF@6V
连续漏极电流：9.5A
导通电阻：13mΩ@6A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C423NLT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：150A
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
栅极电荷：50nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
输入电容：3100pF@20V
功率：3.7W€83W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
功率：3.9W€200W
输入电容：8900pF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C638NLT1G
输入电容：2880pF@25V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：26A€133A
功率：4W€100W
类型：N沟道
栅极电荷：40.7nC@10V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：3mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
功率：3.9W€200W
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：38A
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
功率：3.2W€139W
栅极电荷：143nC@10V
连续漏极电流：46A€302A
ECCN：EAR99
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C604NLAFT1G
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：52nC@4.5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：287A
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
输入电容：8900pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C442NLT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：27A€130A
漏源电压：40V
栅极电荷：50nC@10V
功率：3.1W€69W
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：11830}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02RT4
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
输入电容：3440pF@20V
功率：1.5W€110W
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
连续漏极电流：12.5A€110A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15.5A
栅极电荷：26nC@5V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
功率：65W
输入电容：1190pF@25V
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：7179}
规格型号(MPN)：NVMJS1D6N06CLTWG
栅极电荷：91nC@10V
连续漏极电流：38A€250A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.36mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
功率：3.8W€167W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
输入电容：440pF@25V
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：15nC@5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：1.3W
连续漏极电流：3A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT3G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：40A€287A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
功率：3.9W€200W
输入电容：8900pF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C404NLT1G
输入电容：12168pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
功率：3.2W€167W
栅极电荷：181nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：52A€370A
导通电阻：0.75mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NLAFT1G
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：4300pF@20V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：38A€200A
功率：3.8W€110W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C645NLWFAFT1G
栅极电荷：34nC@10V
导通电阻：4mΩ@50A，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：79W
连续漏极电流：22A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：3490}
规格型号(MPN)：NVMJS0D8N04CLTWG
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：4.2W€180W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：56A€368A
输入电容：9600pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R-001
栅极电荷：13.2nC@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：10A€32A
漏源电压：25V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
包装方式：管件
导通电阻：8mΩ@20A，10V
输入电容：1333pF@20V
功率：1.36W€62.5W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C426NLT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：41A€237A
类型：N沟道
功率：3.8W€128W
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
栅极电荷：93nC@10V
输入电容：5600pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C423NLWFAFT1G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
栅极电荷：50nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
输入电容：3100pF@20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：31A€150A
功率：3.7W€83W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C646NLAFT1G
输入电容：2164pF@25V
包装方式：卷带（TR）
功率：3.7W€79W
栅极电荷：33.7nC@10V
连续漏极电流：20A€93A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6415ANLT4G
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：52mΩ@10A，10V
类型：N沟道
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：23A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMJS0D8N04CLTWG
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
功率：4.2W€180W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：56A€368A
输入电容：9600pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
