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    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1540pF@16V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF2N02ELT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF2N02ELT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    输入电容:150pF@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:3.5nC@4V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3171PZT5G 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3171PZT5G 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":28246}

    规格型号(MPN):NTUD3171PZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    连续漏极电流:200mA

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:13.5pF@15V

    导通电阻:5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1024NZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@5A,4.5V

    输入电容:500pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3129PT5G 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3129PT5G 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"07+":22847,"MI+":8000}

    规格型号(MPN):NTUD3129PT5G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:140mA

    功率:125mW

    输入电容:12pF@15V

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:9nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:2.2A

    输入电容:300pF@10V

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT2G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    输入电容:150pF@16V

    类型:N和P沟道

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1034CZT

    功率:600mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.8A€2.6A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N和P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8928A 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8928A 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"23+":2500}

    规格型号(MPN):FDS8928A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5.5A€4A

    功率:900mW

    漏源电压:30V€20V

    导通电阻:30mΩ@5.5A,4.5V

    类型:N和P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:900pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订411个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订411个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":20000}

    规格型号(MPN):FDME1023PZT

    功率:600mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    导通电阻:142mΩ@2.3A,4.5V

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:405pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    功率:250mW

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:37mΩ@6A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    输入电容:1490pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订4046个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订4046个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"07+":7323,"08+":1037,"20+":24000,"22+":448000}

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    连续漏极电流:860mA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:458pF@16V

    漏源电压:20V

    功率:170mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3152PT1G 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3152PT1G

    功率:250mW

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:430mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD1155LT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD1155LT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":67862}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD1155LT1G

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V

    类型:N和P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:1.3A

    漏源电压:8V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME820NZT

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:865pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:9A

    导通电阻:18mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG

    功率:600mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    输入电容:950pF@10V

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    导通电阻:62mΩ@4A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3169CZT5G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3169CZT5G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:220mA€200mA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:12.5pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF6P02T3G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF6P02T3G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:20nC@4.5V

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    功率:8.3W

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1200pF@16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTWG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTWG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTWG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    栅极电荷:28nC@4.5V

    输入电容:2240pF@15V

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    连续漏极电流:860mA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:458pF@16V

    漏源电压:20V

    功率:170mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3A65PZT5G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3A65PZT5G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3A65PZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:44pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:155mW

    连续漏极电流:281mA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:1.3Ω@200mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:5nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTND31015NZTAG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    功率:125mW

    连续漏极电流:200mA

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:12.3pF@15V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD3A50PZTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD3A50PZTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.8A

    功率:500mW

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@4A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3169CZT5G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3169CZT5G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:220mA€200mA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:12.5pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3A65PZT5G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3A65PZT5G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2376,"15+":1974,"16+":1480,"18+":88348,"19+":206928}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3A65PZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:44pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:155mW

    连续漏极电流:281mA

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.3Ω@200mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    功率:960mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1173pF@4V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:3.7A

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    漏源电压:8V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNUS3171PZT5G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNUS3171PZT5G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNUS3171PZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    连续漏极电流:150mA

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:13pF@15V

    漏源电压:20V

    导通电阻:3.5Ω@100mA,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF6P02T3G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF6P02T3G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:20nC@4.5V

    导通电阻:50mΩ@6A,4.5V

    功率:8.3W

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1200pF@16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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