品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1460pF@15V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN357N
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:235pF@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:500mW
栅极电荷:5.9nC@5V
导通电阻:60mΩ@2.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD7N20LTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
导通电阻:750mΩ@2.75A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9nC@5V
功率:2.5W€45W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:115pF@20V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:1.04W€20.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1460pF@15V
功率:1.6W
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"07+":8990,"08+":6000}
规格型号(MPN):NTLGD3502NT1G
功率:1.74W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4.3A€3.6A
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:60mΩ@4.3A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD19N10LTM
栅极电荷:18nC@5V
输入电容:870pF@25V
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:15.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@7.8A,10V
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":28500}
规格型号(MPN):NTMFS4935NBT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:49.4nC@10V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
连续漏极电流:13A€93A
功率:930mW€48W
输入电容:4850pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN357N
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:235pF@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:500mW
栅极电荷:5.9nC@5V
导通电阻:60mΩ@2.2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H414NLT1G
连续漏极电流:35A€210A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@20A,10V
阈值电压:2V@250µA
功率:3.1W€110W
输入电容:4550pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":10106,"21+":8405,"22+":26339,"24+":30000,"MI+":2932}
规格型号(MPN):FDN357N
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:235pF@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:500mW
栅极电荷:5.9nC@5V
导通电阻:60mΩ@2.2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":1602,"21+":4205,"22+":2178,"23+":18000,"24+":3000}
规格型号(MPN):FDMC012N03
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.23mΩ@35A,10V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.3W€64W
输入电容:8183pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:115pF@20V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:1.04W€20.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H419NLT1G
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:3.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
输入电容:2900pF@20V
连续漏极电流:29A€155A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BVSS84LT1G
导通电阻:10Ω@100mA,5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:36pF@5V
漏源电压:50V
连续漏极电流:130mA
阈值电压:2V@250µA
类型:P沟道
栅极电荷:2.2nC@10V
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-G
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:115mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:9.1nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H409NLT3G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:5700pF@20V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
栅极电荷:89nC@10V
连续漏极电流:41A€270A
ECCN:EAR99
功率:3.2W€140W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD85N02RT4G
功率:1.25W€78.1W
连续漏极电流:12A€85A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:24V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:17.7nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
栅极电荷:5.2nC@5V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:850mA
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:310pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84LT1G
阈值电压:2V@250µA
输入电容:30pF@5V
导通电阻:10Ω@100mA,5V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:50V
功率:225mW
连续漏极电流:130mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS355AN
输入电容:195pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:85mΩ@1.9A,10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5nC@5V
功率:500mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SBSS84LT1G
导通电阻:10Ω@100mA,5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:36pF@5V
漏源电压:50V
连续漏极电流:130mA
阈值电压:2V@250µA
类型:P沟道
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@10V
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT4N20LTF
栅极电荷:5.2nC@5V
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:850mA
导通电阻:1.35Ω@425mA,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:310pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:115pF@20V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
连续漏极电流:2.5A
功率:1.04W€20.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BVSS84LT1G
导通电阻:10Ω@100mA,5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:36pF@5V
漏源电压:50V
连续漏极电流:130mA
阈值电压:2V@250µA
类型:P沟道
栅极电荷:2.2nC@10V
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB19N20LTM
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21A
功率:3.13W€140W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2200pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@10.5A,10V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@5V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BVSS84LT1G
导通电阻:10Ω@100mA,5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:36pF@5V
漏源电压:50V
连续漏极电流:130mA
阈值电压:2V@250µA
类型:P沟道
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@10V
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS355AN
输入电容:195pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:85mΩ@1.9A,10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5nC@5V
功率:500mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: