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    品牌: ON SEMI
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    阈值电压: 2V@250µA
    当前匹配商品:700+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:21nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:1460pF@15V

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:5.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN357N

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:235pF@10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:500mW

    栅极电荷:5.9nC@5V

    导通电阻:60mΩ@2.2A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7N20LTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7N20LTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7N20LTM

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    导通电阻:750mΩ@2.75A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9nC@5V

    功率:2.5W€45W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:5.5A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    输入电容:115pF@20V

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@5V

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    功率:1.04W€20.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:21nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:1460pF@15V

    功率:1.6W

    连续漏极电流:5.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGD3502NT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGD3502NT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"07+":8990,"08+":6000}

    规格型号(MPN):NTLGD3502NT1G

    功率:1.74W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:4.3A€3.6A

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:60mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10LTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD19N10LTM

    栅极电荷:18nC@5V

    输入电容:870pF@25V

    功率:2.5W€50W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:15.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@7.8A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4935NBT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4935NBT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"16+":28500}

    规格型号(MPN):NTMFS4935NBT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:49.4nC@10V

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    连续漏极电流:13A€93A

    功率:930mW€48W

    输入电容:4850pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN357N

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:235pF@10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:500mW

    栅极电荷:5.9nC@5V

    导通电阻:60mΩ@2.2A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:115mA

    功率:200mW

    输入电容:50pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H414NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H414NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H414NLT1G

    连续漏极电流:35A€210A

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:75nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@20A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:3.1W€110W

    输入电容:4550pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":10106,"21+":8405,"22+":26339,"24+":30000,"MI+":2932}

    规格型号(MPN):FDN357N

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:235pF@10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:500mW

    栅极电荷:5.9nC@5V

    导通电阻:60mΩ@2.2A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC012N03 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":1602,"21+":4205,"22+":2178,"23+":18000,"24+":3000}

    规格型号(MPN):FDMC012N03

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.23mΩ@35A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.3W€64W

    输入电容:8183pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    输入电容:115pF@20V

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@5V

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    功率:1.04W€20.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H419NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H419NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H419NLT1G

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:45nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    功率:3.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:2900pF@20V

    连续漏极电流:29A€155A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS84LT1G 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS84LT1G 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BVSS84LT1G

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:36pF@5V

    漏源电压:50V

    连续漏极电流:130mA

    阈值电压:2V@250µA

    类型:P沟道

    栅极电荷:2.2nC@10V

    功率:225mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW-G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW-G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW-G

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    功率:200mW

    输入电容:50pF@25V

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:115mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4501NT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4501NT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4501NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:9.1nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:462pF@24V

    连续漏极电流:4.9A

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:38mΩ@4.9A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H409NLT3G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H409NLT3G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H409NLT3G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    输入电容:5700pF@20V

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    栅极电荷:89nC@10V

    连续漏极电流:41A€270A

    ECCN:EAR99

    功率:3.2W€140W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD85N02RT4G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD85N02RT4G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD85N02RT4G

    功率:1.25W€78.1W

    连续漏极电流:12A€85A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@20V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:24V

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT4N20LTF

    栅极电荷:5.2nC@5V

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:850mA

    导通电阻:1.35Ω@425mA,10V

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:310pF@25V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS84LT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS84LT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84LT1G

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:30pF@5V

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:50V

    功率:225mW

    连续漏极电流:130mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订24000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订24000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    输入电容:195pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:5nC@5V

    功率:500mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SBSS84LT1G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 SBSS84LT1G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SBSS84LT1G

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:36pF@5V

    漏源电压:50V

    连续漏极电流:130mA

    阈值电压:2V@250µA

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.2nC@10V

    功率:225mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT4N20LTF

    栅极电荷:5.2nC@5V

    功率:2.2W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:850mA

    导通电阻:1.35Ω@425mA,10V

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:310pF@25V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD14N03RT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD14N03RT4G

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:95mΩ@5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    输入电容:115pF@20V

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@5V

    连续漏极电流:2.5A

    功率:1.04W€20.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS84LT1G 起订34个装
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS84LT1G 起订34个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BVSS84LT1G

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:36pF@5V

    漏源电压:50V

    连续漏极电流:130mA

    阈值电压:2V@250µA

    类型:P沟道

    栅极电荷:2.2nC@10V

    功率:225mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20LTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB19N20LTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FQB19N20LTM

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:21A

    功率:3.13W€140W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2200pF@25V

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@5V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS84LT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 BVSS84LT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BVSS84LT1G

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:36pF@5V

    漏源电压:50V

    连续漏极电流:130mA

    阈值电压:2V@250µA

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.2nC@10V

    功率:225mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS355AN 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS355AN

    输入电容:195pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:85mΩ@1.9A,10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:5nC@5V

    功率:500mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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