采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.4W
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：2400}
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
漏源电压：500V
功率：143W
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：2210pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W€125W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：14.5A€60A
输入电容：3135pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86540
连续漏极电流：20A€50A
输入电容：6435pF@30V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：2.5W€96W
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B05NT1G
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：3100pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：8mΩ@20A，10V
连续漏极电流：16A€104A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
功率：1W
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3992
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
连续漏极电流：4.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8090
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：13mΩ@10A，10V
输入电容：1800pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：100V
功率：690mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：41268}
规格型号(MPN)：NTMFS6B14NT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：3.1W€77W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：10A€50A
输入电容：1300pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
导通电阻：15mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160
输入电容：1290pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@9A，10V
类型：N沟道
功率：2.3W€54W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9A€43A
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
输入电容：210pF@50V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：1.6W
栅极电荷：5nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP16N60N
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：199mΩ@8A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：52.3nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
功率：134.4W
连续漏极电流：16A
输入电容：2170pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
输入电容：632pF@50V
功率：3W
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：31125，"17+"：1650}
规格型号(MPN)：NDD60N360U1-35G
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
栅极电荷：26nC@10V
功率：114W
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD30N06TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：945pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
导通电阻：45mΩ@11.4A，10V
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：22.7A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：3000，"22+"：5487，"MI+"：2406}
规格型号(MPN)：FDC2512-P
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：150V
输入电容：344pF@75V
导通电阻：425mΩ@1.4A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5P10TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：1.05Ω@1.8A，10V
栅极电荷：8.2nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：3.6A
输入电容：250pF@25V
功率：2.5W€25W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：2626，"17+"：35000}
规格型号(MPN)：NDD60N360U1T4G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
栅极电荷：26nC@10V
功率：114W
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
栅极电荷：6.2nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：11880，"23+"：10500}
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
栅极电荷：65nC@10V
连续漏极电流：17A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
类型：N沟道
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：4500pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD6N40CTM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
输入电容：625pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻：1Ω@2.25A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86102
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：7A€20A
输入电容：965pF@50V
阈值电压：4V@250µA
功率：2.3W€41W
导通电阻：24mΩ@7A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
漏源电压：150V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：1A
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
输入电容：210pF@75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
输入电容：26110pF@20V
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：338nC@10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：420A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5690
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：27mΩ@9A，10V
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@250µA
功率：3.2W€50W
连续漏极电流：30A
输入电容：1110pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT3612
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.7A，10V
输入电容：632pF@50V
功率：3W
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3672
输入电容：2015pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
栅极电荷：37nC@10V
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
栅极电荷：64nC@10V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
输入电容：4250pF@60V
漏源电压：120V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
功率：690mW
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：70pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
