品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C06NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3366pF@15V
连续漏极电流:11A€67A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C55NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€33W
输入电容:1972pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:11.9A€78A
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
栅极电荷:30nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C03NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:45.2nC@10V
连续漏极电流:30A€136A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.1W€64W
ECCN:EAR99
输入电容:3071pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C03NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:45.2nC@10V
连续漏极电流:30A€136A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.1W€64W
ECCN:EAR99
输入电容:3071pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":739500,"23+":112500}
规格型号(MPN):NTMFS4C029NT1G
输入电容:987pF@15V
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:2.49W€23.6W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:15A€46A
导通电阻:5.88mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8012S
输入电容:1075pF@13V
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
连续漏极电流:13A€26A
功率:800mW€900mW
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:7mΩ@12A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102LZ
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@6.5A,10V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:2.3W€41W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":219194,"20+":4480,"23+":1500,"MI+":30905}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
输入电容:987pF@15V
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:750mW€23.6W
连续漏极电流:8.2A
栅极电荷:9.7nC@4.5V
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:170A
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
输入电容:2980pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C08NTAG
功率:820mW€25.5W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:18.2nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1113pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:9.3A
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€33W
输入电容:1972pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:14nC@4.5V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:11.9A
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102LZ
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@6.5A,10V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:2.3W€41W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4941NTAG
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:8.3A€46A
栅极电荷:22.8nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:840mW€25.5W
输入电容:1619pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
输入电容:302pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.6W
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
功率:640mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:400pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1086,"16+":3893,"18+":35100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
ECCN:EAR99
输入电容:1153pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1972pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:21.7A€78A
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":22661,"11+":1105244,"9999":689}
规格型号(MPN):NTMFS4935NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:49.4nC@10V
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:13A€93A
功率:930mW€48W
输入电容:4850pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C05NTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1988pF@15V
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:820mW€33W
连续漏极电流:12A€75A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":742,"21+":1153}
规格型号(MPN):NTMFS4934NT1G
功率:930mW€69.44W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:5505pF@15V
栅极电荷:34nC@4.5V
导通电阻:2mΩ@30A,10V
连续漏极电流:17.1A€147A
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€33W
输入电容:1972pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:14nC@4.5V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:11.9A
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":134039}
规格型号(MPN):NTTFS4929NTAG
连续漏极电流:6.6A€34A
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:920pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:11mΩ@10A,10V
类型:N沟道
功率:810mW€22.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C03NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:45.2nC@10V
连续漏极电流:30A€136A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.1W€64W
输入电容:3071pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102LZ
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@6.5A,10V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:2.3W€41W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":7594}
销售单位:个
包装规格(MPQ):481psc
规格型号(MPN):NTMFS4C054NT1G
输入电容:2300pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.59W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:2.54mΩ@30A,10V
栅极电荷:32.5nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:22.5A€80A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:5780pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
连续漏极电流:41A€230A
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
功率:3.13W€96W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS5D0N03CTAG
导通电阻:4.38mΩ@10A,10V
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:860mW
输入电容:1255pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:11.2A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
输入电容:302pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.6W
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4931NT1G-IRH1
连续漏极电流:23A€246A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:128nC@10V
功率:950mW€104W
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:9821pF@15V
包装方式:散装
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":75000,"22+":4500}
规格型号(MPN):NTTFS4C08NTAG
功率:820mW€25.5W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:18.2nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1113pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:9.3A
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: