采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF7N60NZT
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
包装方式：管件
导通电阻：1.25Ω@3.25A，10V
漏源电压：600V
输入电容：730pF@25V
功率：33W
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
输入电容：710pF@25V
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：管件
功率：52W
漏源电压：600V
连续漏极电流：4.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"15+"：15038}
规格型号(MPN)：NTMS5838NLR2G
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
输入电容：785pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM3622
输入电容：1090pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：60mΩ@4.4A，10V
连续漏极电流：4.4A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD900N60Z
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：3.5V@250µA
功率：52W
漏源电压：600V
输入电容：720pF@25V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：4.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17nC@10V
功率：2.5W€38W
漏源电压：60V
输入电容：550pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：9.4A
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：950，"22+"：9000，"MI+"：1000}
规格型号(MPN)：FDPF7N60NZT
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
包装方式：管件
导通电阻：1.25Ω@3.25A，10V
漏源电压：600V
输入电容：730pF@25V
功率：33W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17nC@10V
功率：2.5W€38W
漏源电压：60V
输入电容：550pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：9.4A
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17nC@10V
功率：2.5W€38W
漏源电压：60V
输入电容：550pF@25V
类型：P沟道
连续漏极电流：9.4A
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF680N10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF7N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：730pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15038}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS5838NLR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：107400，"21+"：1065，"22+"：863，"9999"：1367}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15038}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS5838NLR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：950，"22+"：9000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF7N60NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：730pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@3.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
