采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
功率：2.5W€50W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：150V
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：1335pF@75V
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
连续漏极电流：4.4A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：3000}
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
功率：24W
连续漏极电流：4A
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
阈值电压：4.5V@400µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：3000}
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
功率：24W
连续漏极电流：4A
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
阈值电压：4.5V@400µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
功率：2.5W€50W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：150V
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：1335pF@75V
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
连续漏极电流：4.4A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：747，"23+"：6000}
规格型号(MPN)：FDMC86183
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1515pF@50V
栅极电荷：21nC@10V
连续漏极电流：47A
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：4731，"21+"：5201}
规格型号(MPN)：FDMC3612-L701
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.3W€35W
栅极电荷：21nC@10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：880pF@50V
漏源电压：100V
连续漏极电流：3.3A€16A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1191，"23+"：81}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@75V
连续漏极电流：5.4A€16A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@75V
连续漏极电流：5.4A€16A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4731，"21+"：5201}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：3.3A€16A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：3.3A€16A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@75V
连续漏极电流：5.4A€16A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：497}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80ZYD
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：23400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@75V
连续漏极电流：5.4A€16A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：747，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@75V
连续漏极电流：5.4A€16A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@75V
连续漏极电流：5.4A€16A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：747，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@75V
连续漏极电流：5.4A€16A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3612-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：3.3A€16A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD1300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
