品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2V7002KT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
功率:300mW
栅极电荷:0.7nC@4.5V
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.06V@250µA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
输入电容:9.5pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3193NZT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:224mA
输入电容:15.8pF@15V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
功率:120mW
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:21+
规格型号(MPN):FDV301N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.06V@250µA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
输入电容:9.5pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3193NZT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:224mA
输入电容:15.8pF@15V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
功率:120mW
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2V7002KT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
功率:300mW
栅极电荷:0.7nC@4.5V
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
功率:300mW
栅极电荷:0.7nC@4.5V
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.06V@250µA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
输入电容:9.5pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":12000}
规格型号(MPN):2V7002WT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:24.5pF@20V
功率:280mW
栅极电荷:0.7nC@4.5V
连续漏极电流:310mA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002WT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:24.5pF@20V
功率:280mW
栅极电荷:0.7nC@4.5V
连续漏极电流:310mA
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3193NZT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:224mA
输入电容:15.8pF@15V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
功率:120mW
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.06V@250µA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
输入电容:9.5pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":6102500,"18+":119008}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3190NZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:120mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15.8pF@15V
连续漏极电流:224mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3193NZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:120mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15.8pF@15V
连续漏极电流:224mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3193NZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:120mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15.8pF@15V
连续漏极电流:224mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002WT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2V7002KT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KT7G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002WT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: