品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4685
功率:69W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:27nC@5V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:8.4A€32A
输入电容:2380pF@20V
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.4A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8015L-L701
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
栅极电荷:19nC@10V
功率:2.3W€24W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:945pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:2.9W€56W
类型:N沟道
连续漏极电流:27A€108A
输入电容:3965pF@20V
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8015L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
栅极电荷:19nC@10V
功率:2.3W€24W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:945pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8949
输入电容:955pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
导通电阻:29mΩ@6A,10V
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80040DC
输入电容:26110pF@20V
导通电阻:0.56mΩ@64A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:338nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:420A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFD4D0N04HLTWG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
功率:1.7W€26W
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
阈值电压:2V@50µA
连续漏极电流:15A€60A
ECCN:EAR99
输入电容:1100pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:2.9W€56W
类型:N沟道
连续漏极电流:27A€108A
输入电容:3965pF@20V
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:6.7A€14A
功率:42W
输入电容:1550pF@20V
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":91042,"20+":3000,"21+":72313,"22+":4412,"MI+":22800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:44A€130A
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:170nC@10V
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
输入电容:11635pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H414NLT1G
连续漏极电流:35A€210A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@20A,10V
阈值电压:2V@250µA
功率:3.1W€110W
输入电容:4550pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H419NLT1G
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:3.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
输入电容:2900pF@20V
连续漏极电流:29A€155A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":15038}
规格型号(MPN):NTMS5838NLR2G
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:785pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8949
输入电容:955pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
导通电阻:29mΩ@6A,10V
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H409NLT3G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:5700pF@20V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
栅极电荷:89nC@10V
连续漏极电流:41A€270A
ECCN:EAR99
功率:3.2W€140W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFD4D0N04HLTWG
包装方式:卷带(TR)
功率:1.7W€26W
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2V@50µA
连续漏极电流:15A€60A
输入电容:1100pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8333L
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:64nC@10V
输入电容:4545pF@20V
类型:N沟道
连续漏极电流:22A€76A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:3.1mΩ@22A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:720pF@20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
功率:1.9W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFD4D0N04HLTWG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
功率:1.7W€26W
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
阈值电压:2V@50µA
连续漏极电流:15A€60A
ECCN:EAR99
输入电容:1100pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:2.9W€56W
类型:N沟道
连续漏极电流:27A€108A
输入电容:3965pF@20V
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":3000}
规格型号(MPN):FDMA8051L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:2.4W
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1260pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":78,"19+":2500}
规格型号(MPN):FDS8638
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:5680pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4685
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:27nC@5V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:27mΩ@8.2A,10V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
输入电容:1872pF@20V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":4050}
规格型号(MPN):FDS4897C
导通电阻:29mΩ@6.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:900mW
输入电容:760pF@20V
类型:N和P沟道
连续漏极电流:6.2A€4.4A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:6.7A€14A
功率:42W
输入电容:1550pF@20V
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8015L-L701
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
栅极电荷:19nC@10V
功率:2.3W€24W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:945pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4243
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
漏源电压:40V
连续漏极电流:6.7A€14A
功率:42W
输入电容:1550pF@20V
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@6.7A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8462
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:2W€41W
类型:N沟道
连续漏极电流:14A€20A
输入电容:2660pF@20V
栅极电荷:43nC@10V
导通电阻:5.8mΩ@13.5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:44A€130A
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:170nC@10V
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
输入电容:11635pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8949
输入电容:955pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
导通电阻:29mΩ@6A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存: