品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2400}
规格型号(MPN):FQB10N50CFTM-WS
漏源电压:500V
功率:143W
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@5A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:2210pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
漏源电压:500V
导通电阻:200mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:85nC@10V
输入电容:4310pF@25V
包装方式:管件
功率:270W
连续漏极电流:24A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50F
栅极电荷:105nC@10V
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@14A,10V
功率:310W
包装方式:管件
输入电容:5387pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3N50NZTM
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.25A,10V
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT4N50NZU
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:9.1nC@10V
输入电容:476pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@1A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
输入电容:640pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
栅极电荷:15nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":7971}
规格型号(MPN):FQU3N50CTU
栅极电荷:13nC@10V
漏源电压:500V
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:365pF@25V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF12N50T
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
功率:42W
包装方式:管件
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1315pF@25V
导通电阻:650mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA18N50
漏源电压:500V
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2860pF@25V
功率:239W
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:265mΩ@9.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":18901,"21+":283,"MI+":2000}
规格型号(MPN):FDPF13N50FT
栅极电荷:39nC@10V
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:42W
输入电容:1930pF@25V
包装方式:管件
导通电阻:540mΩ@6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N50CF
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
输入电容:1030pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9A
功率:44W
栅极电荷:35nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):FDL100N50F
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:238nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":6000,"22+":8000,"MI+":1000}
规格型号(MPN):FQI13N50CTU
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:13A
功率:195W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:2055pF@25V
栅极电荷:56nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:480mΩ@6.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB20N50F
栅极电荷:65nC@10V
连续漏极电流:20A
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
功率:250W
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
输入电容:3390pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB12N50TM
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1315pF@25V
导通电阻:650mΩ@6A,10V
功率:165W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT4N50NZU
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:9.1nC@10V
输入电容:476pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@1A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA18N50
漏源电压:500V
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2860pF@25V
功率:239W
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:265mΩ@9.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDPF20N50T
栅极电荷:59.5nC@10V
连续漏极电流:20A
漏源电压:500V
导通电阻:230mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
ECCN:EAR99
输入电容:3120pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":68790,"14+":189550}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NDF08N50ZH
漏源电压:500V
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1095pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
连续漏极电流:8.5A
包装方式:管件
栅极电荷:46nC@10V
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NDF08N50ZH
漏源电压:500V
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1095pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
连续漏极电流:8.5A
包装方式:管件
栅极电荷:46nC@10V
阈值电压:4.5V@100µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N50CF
漏源电压:500V
导通电阻:480mΩ@7.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
包装方式:管件
功率:218W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:2055pF@25V
栅极电荷:56nC@10V
连续漏极电流:15A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2400}
规格型号(MPN):FQB10N50CFTM-WS
漏源电压:500V
功率:143W
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@5A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:2210pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF16N50UT
漏源电压:500V
导通电阻:480mΩ@7.5A,10V
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:1945pF@25V
连续漏极电流:15A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDH45N50F-F133
漏源电压:500V
栅极电荷:137nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
输入电容:6630pF@25V
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@22.5A,10V
包装方式:管件
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDPF8N50NZU
漏源电压:500V
栅极电荷:18nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:6.5A
输入电容:735pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":284034,"13+":261755,"18+":500,"9999":215}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NDF05N50ZH
漏源电压:500V
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
栅极电荷:28nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
输入电容:632pF@25V
包装方式:管件
功率:30W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP20N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF20N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF13N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2055pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@6.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: