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    品牌: ON SEMI
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    当前匹配商品:2900+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1540pF@16V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    功率:301mW

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.37A

    栅极电荷:9nC@4.5V

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:329mW

    输入电容:840pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJS4151PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.2A

    功率:1.2W

    输入电容:850pF@10V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3174NZT5G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3174NZT5G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTUD3174NZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:220mA

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    功率:125mW

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    阈值电压:1V@100µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:12.5pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    连续漏极电流:6.1A

    输入电容:600pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD2C02R2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMD2C02R2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"06+":2201,"08+":6490,"10+":6061}

    规格型号(MPN):NTMD2C02R2G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N和P沟道

    导通电阻:43mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    输入电容:1100pF@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:5.2A€3.4A

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订45000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1G 起订45000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    功率:301mW

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF2N02ELT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF2N02ELT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    输入电容:150pF@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:3.5nC@4V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    输入电容:3640pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:70nC@4.5V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.37A

    栅极电荷:9nC@4.5V

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:329mW

    ECCN:EAR99

    输入电容:840pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P 起订1254个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P 起订1254个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1025P

    类型:2个P沟道(双)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:450pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:剪切带(CT)

    漏源电压:20V

    导通电阻:155mΩ@3.1A,4.5V

    连续漏极电流:3.1A

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"05+":30000,"06+":2633,"07+":1939,"08+":49666,"09+":235413,"10+":105000,"11+":30000,"13+":30000,"14+":54000,"MI+":9000}

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1025P

    类型:2个P沟道(双)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:450pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:剪切带(CT)

    漏源电压:20V

    导通电阻:155mΩ@3.1A,4.5V

    连续漏极电流:3.1A

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT5G 起订14个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT5G 起订14个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT5G

    阈值电压:1.2V@250µA

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:310mW

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    输入电容:120pF@16V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN342P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN342P

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:80mΩ@2A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2A

    栅极电荷:9nC@4.5V

    功率:500mW

    类型:P沟道

    输入电容:635pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3171PZT5G 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3171PZT5G 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":28246}

    规格型号(MPN):NTUD3171PZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    连续漏极电流:200mA

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:13.5pF@15V

    导通电阻:5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR0202PLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR0202PLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR0202PLT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:800mΩ@200mA,10V

    输入电容:70pF@5V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    栅极电荷:2.18nC@10V

    功率:225mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1024NZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@5A,4.5V

    输入电容:500pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3129PT5G 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTUD3129PT5G 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"07+":22847,"MI+":8000}

    规格型号(MPN):NTUD3129PT5G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:140mA

    功率:125mW

    输入电容:12pF@15V

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638APZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:12nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    输入电容:1000pF@10V

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD3155CT2G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    输入电容:150pF@16V

    类型:N和P沟道

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6305N 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6305N 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6305N

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:310pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:340pF@10V

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:3.7A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1034CZT

    功率:600mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.8A€2.6A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N和P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGD3502NT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGD3502NT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"07+":8990,"08+":6000}

    规格型号(MPN):NTLGD3502NT1G

    功率:1.74W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:4.3A€3.6A

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:60mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4101PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4101PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4101PT1G

    输入电容:2100pF@16V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:4.8A

    功率:1.3W

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V

    栅极电荷:35nC@4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订411个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订411个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":20000}

    规格型号(MPN):FDME1023PZT

    功率:600mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    导通电阻:142mΩ@2.3A,4.5V

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:405pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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