品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@16V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
功率:301mW
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.37A
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:329mW
输入电容:840pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4151PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.2A
功率:1.2W
输入电容:850pF@10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3174NZT5G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:125mW
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@100µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
连续漏极电流:6.1A
输入电容:600pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":2201,"08+":6490,"10+":6061}
规格型号(MPN):NTMD2C02R2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道
导通电阻:43mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:1100pF@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.2A€3.4A
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
功率:301mW
类型:P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
输入电容:150pF@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:3.5nC@4V
类型:N沟道
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS10P02R2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14mΩ@10A,4.5V
输入电容:3640pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:70nC@4.5V
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
漏源电压:20V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.37A
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:329mW
ECCN:EAR99
输入电容:840pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1025P
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:450pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:剪切带(CT)
漏源电压:20V
导通电阻:155mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"05+":30000,"06+":2633,"07+":1939,"08+":49666,"09+":235413,"10+":105000,"11+":30000,"13+":30000,"14+":54000,"MI+":9000}
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1025P
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:450pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:剪切带(CT)
漏源电压:20V
导通电阻:155mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3134NT5G
阈值电压:1.2V@250µA
导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:310mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
输入电容:120pF@16V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:635pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":28246}
规格型号(MPN):NTUD3171PZT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
输入电容:13.5pF@15V
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR0202PLT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:800mΩ@200mA,10V
输入电容:70pF@5V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:2.18nC@10V
功率:225mW
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1024NZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@5A,4.5V
输入电容:500pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"07+":22847,"MI+":8000}
规格型号(MPN):NTUD3129PT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:140mA
功率:125mW
输入电容:12pF@15V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT2G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
连续漏极电流:540mA€430mA
输入电容:150pF@16V
类型:N和P沟道
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6305N
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:310pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:340pF@10V
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1034CZT
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A€2.6A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"07+":8990,"08+":6000}
规格型号(MPN):NTLGD3502NT1G
功率:1.74W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4.3A€3.6A
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:60mΩ@4.3A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4101PT1G
输入电容:2100pF@16V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.8A
功率:1.3W
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@4.8A,4.5V
栅极电荷:35nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":20000}
规格型号(MPN):FDME1023PZT
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:142mΩ@2.3A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:405pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: