品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
导通电阻:95mΩ@18A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@860µA
栅极电荷:66nC@10V
类型:N沟道
功率:272W
漏源电压:650V
连续漏极电流:36A
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB260N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:260mΩ@6A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
连续漏极电流:54A
导通电阻:77mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
生产批次:{"22+":19350,"MI+":1350}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
导通电阻:95mΩ@18A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@860µA
栅极电荷:66nC@10V
类型:N沟道
功率:272W
漏源电压:650V
连续漏极电流:36A
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":12000}
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTP150N65S3HF
导通电阻:150mΩ@12A,10V
功率:192W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:5V@540µA
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:1985pF@400V
连续漏极电流:24A
栅极电荷:43nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
功率:313W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:81nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
输入电容:3410pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3R0L-F154
阈值电压:4.5V@290µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:650V
功率:31W
包装方式:管件
输入电容:1010pF@400V
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":450}
规格型号(MPN):NTHL040N65S3HF
连续漏极电流:65A
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@2.1mA
输入电容:5945pF@400V
类型:N沟道
漏源电压:650V
包装方式:管件
ECCN:EAR99
栅极电荷:159nC@10V
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L040N65S3F
连续漏极电流:65A
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@2.1mA
类型:N沟道
漏源电压:650V
输入电容:5665pF@400V
包装方式:管件
栅极电荷:160nC@10V
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH067N65S3-F155
输入电容:3090pF@400V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:44A
漏源电压:650V
阈值电压:4.5V@4.4mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
导通电阻:67mΩ@22A,10V
功率:312W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
功率:313W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:81nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
输入电容:3410pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
连续漏极电流:54A
导通电阻:77mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
功率:83W
栅极电荷:18nC@10V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:360mΩ@5A,10V
类型:N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:4.5V@1mA
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH023N65S3-F155
输入电容:7160pF@400V
导通电阻:23mΩ@37.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:222nC@10V
阈值电压:4.5V@7.5mA
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
漏源电压:650V
功率:595W
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":12000}
规格型号(MPN):NTMT110N65S3HF
导通电阻:110mΩ@15A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:240W
漏源电压:650V
栅极电荷:62nC@10V
阈值电压:5V@740µA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:2635pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
连续漏极电流:54A
导通电阻:77mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NVB082N65S3F
功率:313W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:81nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
输入电容:3410pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3745pF@400V
类型:N沟道
漏源电压:650V
功率:260W
导通电阻:64mΩ@20A,10V
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCP099N65S3
导通电阻:99mΩ@15A,10V
功率:227W
输入电容:2480pF@400V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4.5V@3mA
类型:N沟道
栅极电荷:61nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":12000}
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB095N65S3HF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@18A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@860µA
栅极电荷:66nC@10V
类型:N沟道
功率:272W
漏源电压:650V
连续漏极电流:36A
输入电容:2930pF@400V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP190N65S3HF
连续漏极电流:20A
栅极电荷:34nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1610pF@400V
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
导通电阻:95mΩ@18A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@860µA
栅极电荷:66nC@10V
类型:N沟道
功率:272W
漏源电压:650V
连续漏极电流:36A
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":5760,"19+":12529}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCPF190N65S3R0L
连续漏极电流:17A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@1.7mA
输入电容:1350pF@400V
漏源电压:650V
包装方式:管件
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
ECCN:EAR99
功率:144W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1991,"19+":15300,"22+":1018,"MI+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
连续漏极电流:54A
导通电阻:77mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH077N65F-F085
连续漏极电流:54A
导通电阻:77mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:7162pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH067N65S3-F155
输入电容:3090pF@400V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:44A
漏源电压:650V
阈值电压:4.5V@4.4mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
导通电阻:67mΩ@22A,10V
功率:312W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCP190N65S3
连续漏极电流:17A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@1.7mA
输入电容:1350pF@400V
漏源电压:650V
包装方式:管件
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
ECCN:EAR99
功率:144W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF165N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
阈值电压:4V@1.6mA
漏源电压:650V
输入电容:1808pF@400V
包装方式:管件
功率:33W
栅极电荷:35nC@10V
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: