品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:115pF@20V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:1.04W€20.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2,"21+":1937}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6304P
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:460mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.1Ω@500mA,4.5V
漏源电压:25V
输入电容:62pF@10V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":14828}
规格型号(MPN):NTMFS4854NST3G
输入电容:4830pF@12V
包装方式:卷带(TR)
功率:900mW€86.2W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:85nC@11.5V
漏源电压:25V
连续漏极电流:15.2A€149A
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":21000}
规格型号(MPN):FDMS7556S
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
输入电容:8965pF@13V
连续漏极电流:35A€49A
功率:2.5W€96W
导通电阻:1.2mΩ@35A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
规格型号(MPN):FDMC7570S
功率:2.3W€59W
输入电容:4410pF@13V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2mΩ@27A,10V
连续漏极电流:27A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7570S
功率:2.3W€59W
输入电容:4410pF@13V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2mΩ@27A,10V
连续漏极电流:27A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8012S
输入电容:1075pF@13V
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
连续漏极电流:13A€26A
功率:800mW€900mW
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:7mΩ@12A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4409NT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
漏源电压:25V
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6303N
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2D8N025S
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@28A,10V
阈值电压:3V@1mA
连续漏极电流:124A
漏源电压:25V
功率:47W
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4615pF@13V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":17561,"22+":9402,"MI+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8011S
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:13A€20A€27A€60A
输入电容:1240pF@13V€4335pF@13V
漏源电压:25V
阈值电压:2.2V@250µA€2.2V@1mA
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:800mW€900mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6303N
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
连续漏极电流:680mA
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N-F085P
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6301N
导通电阻:4Ω@220mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:25V
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
规格型号(MPN):FDMC7570S
功率:2.3W€59W
输入电容:4410pF@13V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2mΩ@27A,10V
连续漏极电流:27A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
规格型号(MPN):FDMC7570S
功率:2.3W€59W
输入电容:4410pF@13V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2mΩ@27A,10V
连续漏极电流:27A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
连续漏极电流:23A€49A
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
输入电容:2780pF@13V
功率:2.5W€46W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:115pF@20V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:1.04W€20.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"MI+":2608}
规格型号(MPN):FDMC7572S
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2705pF@13V
连续漏极电流:22.5A€40A
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
导通电阻:3.15mΩ@22.5A,10V
ECCN:EAR99
功率:2.3W€52W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.06V@250µA
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:0.7nC@4.5V
输入电容:9.5pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8011S-AU01
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:800mW€900mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:13A€20A€27A€60A
输入电容:1240pF@13V€4335pF@13V
漏源电压:25V
阈值电压:2.2V@250µA€2.2V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS1D2N02P1E
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:23A€180A
阈值电压:2V@934µA
输入电容:4040pF@13V
导通电阻:1mΩ@38A,10V
功率:820mW€52W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8016S
功率:2.1W€2.3W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
连续漏极电流:20A€35A
类型:2N沟道(双)非对称型
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3468}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6320C
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
类型:N和P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:9.5pF@10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
连续漏极电流:220mA€120mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8011S-AU01
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:800mW€900mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:13A€20A€27A€60A
输入电容:1240pF@13V€4335pF@13V
漏源电压:25V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.2V@250µA€2.2V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2144,"21+":5417,"22+":5616}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8014S
功率:2.1W€2.3W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2375pF@13V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
类型:2N沟道(双)非对称型
连续漏极电流:20A€41A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
连续漏极电流:680mA
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:50pF@10V
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":75000}
规格型号(MPN):FDC6304P
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:460mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.1Ω@500mA,4.5V
漏源电压:25V
输入电容:62pF@10V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}
规格型号(MPN):FDMC7570S
功率:2.3W€59W
输入电容:4410pF@13V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:25V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:2mΩ@27A,10V
连续漏极电流:27A€40A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: