品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:195W
包装方式:管件
连续漏极电流:14A
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:800V
输入电容:2350pF@1000V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB290N80
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@1.7mA
输入电容:3205pF@100V
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:212W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:02+
规格型号(MPN):FQPF2N80
功率:35W
导通电阻:6.3Ω@750mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
阈值电压:4.5V@200µA
栅极电荷:9.6nC@10V
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:32W
输入电容:400pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD3400N80Z
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
阈值电压:4.5V@200µA
栅极电荷:9.6nC@10V
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:800V
功率:32W
输入电容:400pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):450psc
规格型号(MPN):FCH060N80-F155
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:14685pF@100V
栅极电荷:350nC@10V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@29A,10V
阈值电压:4.5V@5.8mA
包装方式:管件
功率:500W
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP6N80C
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
输入电容:1310pF@25V
功率:158W
包装方式:管件
栅极电荷:30nC@10V
漏源电压:800V
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF850N80Z
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
输入电容:1315pF@100V
功率:28.4W
阈值电压:4.5V@600µA
包装方式:管件
漏源电压:800V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":3000}
规格型号(MPN):FCPF1300N80Z
功率:24W
连续漏极电流:4A
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@100V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@400µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD2250N80Z
输入电容:585pF@100V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
阈值电压:4.5V@260µA
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
功率:39W
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":498}
规格型号(MPN):FQPF8N80CYDTU
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
功率:59W
类型:N沟道
连续漏极电流:8A
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":4000}
规格型号(MPN):FCPF400N80ZL1-F154
输入电容:2350pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB290N80
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@1.7mA
输入电容:3205pF@100V
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:212W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N80TF-WS
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@25V
导通电阻:20Ω@100mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:200mA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF400N80Z
输入电容:2350pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH085N80-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@4.6mA
输入电容:10825pF@100V
包装方式:管件
连续漏极电流:46A
导通电阻:85mΩ@23A,10V
漏源电压:800V
栅极电荷:255nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD2250N80Z
输入电容:585pF@100V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
阈值电压:4.5V@260µA
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
功率:39W
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":3000}
规格型号(MPN):FCPF1300N80Z
功率:24W
连续漏极电流:4A
导通电阻:1.3Ω@2A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@100V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@400µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
生产批次:{"21+":9360,"22+":1030,"MI+":1800}
规格型号(MPN):FQA13N80-F109
连续漏极电流:12.6A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
栅极电荷:88nC@10V
功率:300W
漏源电压:800V
导通电阻:750mΩ@6.3A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:3500pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD850N80Z
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
输入电容:1315pF@100V
阈值电压:4.5V@600µA
漏源电压:800V
连续漏极电流:6A
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
连续漏极电流:17A
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@1.7mA
输入电容:3205pF@100V
包装方式:管件
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD360N80S3Z
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:360mΩ@6,5A,10V
输入电容:1143pF@400V
类型:N沟道
栅极电荷:25.3nC@10V
连续漏极电流:13A
功率:96W
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP850N80Z
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
输入电容:1315pF@100V
功率:136W
阈值电压:4.5V@600µA
连续漏极电流:8A
包装方式:管件
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF6N80C
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
功率:51W
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
输入电容:1310pF@25V
包装方式:管件
栅极电荷:30nC@10V
漏源电压:800V
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP6N80C
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
输入电容:1310pF@25V
功率:158W
包装方式:管件
栅极电荷:30nC@10V
漏源电压:800V
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}
规格型号(MPN):FCPF290N80
连续漏极电流:17A
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@1.7mA
输入电容:3205pF@100V
包装方式:管件
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
连续漏极电流:17A
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@1.7mA
输入电容:3205pF@100V
包装方式:管件
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB4N80TM
功率:3.13W€130W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3.6Ω@1.95A,10V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
栅极电荷:25nC@10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
输入电容:880pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD360N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1143pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6,5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF650N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:30.5W
阈值电压:4.5V@800µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1565pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: