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    品牌: ON SEMI
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 600V
    当前匹配商品:800+
    商品信息
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL01N60ZT1G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL01N60ZT1G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"15+":3000}

    规格型号(MPN):NDTL01N60ZT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    阈值电压:4.5V@50µA

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    栅极电荷:4.9nC@10V

    漏源电压:600V

    输入电容:92pF@25V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF380N60E-F154 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF380N60E-F154 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF380N60E-F154

    连续漏极电流:10.2A

    栅极电荷:45nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    功率:31W

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    输入电容:1770pF@25V

    导通电阻:380mΩ@5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD5N60TM-WS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2.3A,10V

    连续漏极电流:4.6A

    栅极电荷:16nC@10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    功率:54W

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP16N60N 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP16N60N 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP16N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:199mΩ@8A,10V

    类型:N沟道

    栅极电荷:52.3nC@10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    功率:134.4W

    连续漏极电流:16A

    输入电容:2170pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-35G 起订309个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-35G 起订309个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"13+":31125,"17+":1650}

    规格型号(MPN):NDD60N360U1-35G

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    功率:114W

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    阈值电压:3.5V@250µA

    功率:125W

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:1948pF@380V

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    输入电容:8000F@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:270nC@10V

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:47A

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1T4G 起订309个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1T4G 起订309个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}

    规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    功率:114W

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    导通电阻:11.5Ω@100mA,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:200mA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD620N60ZF

    输入电容:1135pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:7.3A

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:36nC@10V

    漏源电压:600V

    导通电阻:620mΩ@3.6A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA36N60NF 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA36N60NF 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):450psc

    规格型号(MPN):FCA36N60NF

    连续漏极电流:34.9A

    导通电阻:95mΩ@18A,10V

    输入电容:4245pF@100V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    栅极电荷:112nC@10V

    漏源电压:600V

    功率:312W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:52nC@10V

    功率:125W

    漏源电压:600V

    输入电容:1490pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    阈值电压:3.5V@250µA

    功率:125W

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:1948pF@380V

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF380N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF380N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF380N60

    连续漏极电流:10.2A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    功率:31W

    输入电容:1665pF@25V

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:380mΩ@5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP16N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP16N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FCP16N60

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:2250pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:167W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    导通电阻:260mΩ@8A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF7N60NZT 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF7N60NZT 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF7N60NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    导通电阻:1.25Ω@3.25A,10V

    漏源电压:600V

    输入电容:730pF@25V

    功率:33W

    连续漏极电流:6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N550U1-1G 起订422个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N550U1-1G 起订422个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":17400,"17+":3075}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD60N550U1-1G

    功率:94W

    栅极电荷:18nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:8.2A

    输入电容:540pF@50V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:550mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCU900N60Z 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCU900N60Z 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCU900N60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:900mΩ@2.3A,10V

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:710pF@25V

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:管件

    功率:52W

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT199N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT199N60

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:74nC@10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    功率:208W

    连续漏极电流:20.2A

    输入电容:2950pF@100V

    导通电阻:199mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF20N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FCPF20N60

    连续漏极电流:20A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3080pF@25V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    栅极电荷:98nC@10V

    功率:39W

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N745U1-35G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N745U1-35G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"14+":19700,"17+":2100,"9999":375}

    规格型号(MPN):NDD60N745U1-35G

    连续漏极电流:6.6A

    功率:84W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:745mΩ@3.25A,10V

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    输入电容:440pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.9A

    功率:50W

    栅极电荷:16.6nC@10V

    输入电容:540pF@25V

    漏源电压:600V

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP260N60E 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP260N60E 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":2742}

    规格型号(MPN):FCP260N60E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    导通电阻:260mΩ@7.5A,10V

    输入电容:2500pF@25V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:管件

    栅极电荷:62nC@10V

    连续漏极电流:15A

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH170N60 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH170N60

    功率:227W

    导通电阻:170mΩ@11A,10V

    输入电容:2860pF@380V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:55nC@10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    连续漏极电流:22A

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQI7N60TU 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI7N60TU 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI7N60TU

    连续漏极电流:7.4A

    导通电阻:1Ω@3.7A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    输入电容:1430pF@25V

    漏源电压:600V

    功率:3.13W€142W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60F 起订101个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60F 起订101个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"18+":219}

    规格型号(MPN):FCA20N60F

    连续漏极电流:20A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3080pF@25V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    栅极电荷:98nC@10V

    功率:208W

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB7N60TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB7N60TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FQB7N60TM

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    导通电阻:1Ω@3.7A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:1430pF@25V

    漏源电压:600V

    功率:3.13W€142W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:920pF@25V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订42个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订42个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:1223

    规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:4.5V@50µA

    连续漏极电流:4.1A

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP10N60NZ 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP10N60NZ 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"18+":835}

    规格型号(MPN):FDP10N60NZ

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:185W

    包装方式:管件

    输入电容:1475pF@25V

    漏源电压:600V

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:750mΩ@5A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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