品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":3000}
规格型号(MPN):NDTL01N60ZT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
导通电阻:15Ω@400mA,10V
栅极电荷:4.9nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:92pF@25V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF380N60E-F154
连续漏极电流:10.2A
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
功率:31W
包装方式:管件
漏源电压:600V
输入电容:1770pF@25V
导通电阻:380mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD5N60TM-WS
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.3A,10V
连续漏极电流:4.6A
栅极电荷:16nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
功率:54W
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP16N60N
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:199mΩ@8A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:52.3nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
功率:134.4W
连续漏极电流:16A
输入电容:2170pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":31125,"17+":1650}
规格型号(MPN):NDD60N360U1-35G
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
功率:114W
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
阈值电压:3.5V@250µA
功率:125W
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:1948pF@380V
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60-F133
输入电容:8000F@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:270nC@10V
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:47A
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}
规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
功率:114W
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:6.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD620N60ZF
输入电容:1135pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
功率:89W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
漏源电压:600V
导通电阻:620mΩ@3.6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):450psc
规格型号(MPN):FCA36N60NF
连续漏极电流:34.9A
导通电阻:95mΩ@18A,10V
输入电容:4245pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
栅极电荷:112nC@10V
漏源电压:600V
功率:312W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB11N60TM
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@10V
功率:125W
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}
规格型号(MPN):FCMT299N60
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
阈值电压:3.5V@250µA
功率:125W
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:1948pF@380V
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF380N60
连续漏极电流:10.2A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
功率:31W
输入电容:1665pF@25V
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:380mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCP16N60
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:2250pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
漏源电压:600V
导通电阻:260mΩ@8A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF7N60NZT
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:1.25Ω@3.25A,10V
漏源电压:600V
输入电容:730pF@25V
功率:33W
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":17400,"17+":3075}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N550U1-1G
功率:94W
栅极电荷:18nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:8.2A
输入电容:540pF@50V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU900N60Z
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
输入电容:710pF@25V
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:管件
功率:52W
漏源电压:600V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT199N60
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
阈值电压:3.5V@250µA
功率:208W
连续漏极电流:20.2A
输入电容:2950pF@100V
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCPF20N60
连续漏极电流:20A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3080pF@25V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
栅极电荷:98nC@10V
功率:39W
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":19700,"17+":2100,"9999":375}
规格型号(MPN):NDD60N745U1-35G
连续漏极电流:6.6A
功率:84W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:745mΩ@3.25A,10V
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:440pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD4N60TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
功率:50W
栅极电荷:16.6nC@10V
输入电容:540pF@25V
漏源电压:600V
导通电阻:1.2Ω@2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2742}
规格型号(MPN):FCP260N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
导通电阻:260mΩ@7.5A,10V
输入电容:2500pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:管件
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:15A
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH170N60
功率:227W
导通电阻:170mΩ@11A,10V
输入电容:2860pF@380V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:55nC@10V
阈值电压:3.5V@250µA
连续漏极电流:22A
包装方式:管件
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI7N60TU
连续漏极电流:7.4A
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:1430pF@25V
漏源电压:600V
功率:3.13W€142W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":219}
规格型号(MPN):FCA20N60F
连续漏极电流:20A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3080pF@25V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
栅极电荷:98nC@10V
功率:208W
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB7N60TM
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
导通电阻:1Ω@3.7A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
输入电容:1430pF@25V
漏源电压:600V
功率:3.13W€142W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:920pF@25V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1223
规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":835}
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:185W
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
漏源电压:600V
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:750mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: