品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:17A€50A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€96W
栅极电荷:95nC@10V
输入电容:6290pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTSC1D5N08MC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:140nC@10V
阈值电压:4V@650µA
功率:3.3W€250W
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
连续漏极电流:33A€287A
输入电容:10400pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:25A€130A
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
栅极电荷:155nC@10V
输入电容:10680pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8280
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3050pF@40V
连续漏极电流:11A
功率:1W
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.2mΩ@11A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D5N08LC
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:17A€116A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.2mΩ@37A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@210µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€113.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:17A€50A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€96W
栅极电荷:95nC@10V
输入电容:6290pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC
功率:57W
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@40V
连续漏极电流:64A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@130µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:6.8mΩ@22A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:66A
阈值电压:2.5V@120µA
输入电容:2940pF@40V
导通电阻:7mΩ@21A,10V
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1600,"23+":27500}
规格型号(MPN):FDD3510H
导通电阻:80mΩ@4.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道,共漏
漏源电压:80V
输入电容:800pF@40V
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.3A€2.8A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFD018N08LC
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@44µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:80V
输入电容:856pF@40V
功率:1.7W€26W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6A€26A
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC010N08C
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@16A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:1500pF@40V
连续漏极电流:11A€51A
功率:2.4W€52W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N003C
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@310µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
栅极电荷:73nC@10V
功率:2.7W€125W
连续漏极电流:22A€147A
输入电容:5350pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N2D5C
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:4V@380µA
输入电容:6240pF@40V
连续漏极电流:166A
栅极电荷:84nC@10V
导通电阻:2.7mΩ@68A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3512
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:634pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:3A
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:77mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:36A€254A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.2W€156W
栅极电荷:273nC@10V
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:20720pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2980}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:90W
输入电容:8040pF@40V
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:13A€60A
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3000pF@50V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":446,"21+":2708,"22+":4780,"MI+":5845}
规格型号(MPN):FDMS004N08C
导通电阻:4mΩ@44A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:126A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:55nC@10V
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4250pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
连续漏极电流:14A€84A
功率:2.5W€92.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:2.5V@120µA
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
输入电容:3100pF@40V
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
导通电阻:4mΩ@44A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:126A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:55nC@10V
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4250pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3512
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:634pF@40V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:3A
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
导通电阻:77mΩ@3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS002N08MC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:29A€229A
功率:3.3W
导通电阻:2mΩ@90A,10V
阈值电压:4V@540µA
输入电容:8900pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS039N08B
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:7600pF@40V
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
连续漏极电流:19.4A€100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS002N08MC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:29A€229A
功率:3.3W
导通电阻:2mΩ@90A,10V
阈值电压:4V@540µA
输入电容:8900pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N004C
导通电阻:4mΩ@44A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:126A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:55nC@10V
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4250pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:25A€130A
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
栅极电荷:155nC@10V
输入电容:10680pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:260nC@10V
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:19600pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: