采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：28246}
规格型号(MPN)：NTUD3171PZT5G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
连续漏极电流：200mA
类型：2个P沟道（双）
阈值电压：1V@250µA
输入电容：13.5pF@15V
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
功率：400mW
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
栅极电荷：6.2nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
功率：400mW
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2209}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D75Z
功率：400mW
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
功率：400mW
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTND31015NZTAG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
功率：125mW
连续漏极电流：200mA
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：12.3pF@15V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N80TF-WS
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@25V
导通电阻：20Ω@100mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
栅极电荷：6.2nC@10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTND31015NZTAG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
功率：125mW
连续漏极电流：200mA
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
阈值电压：1V@250µA
输入电容：12.3pF@15V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
功率：400mW
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
功率：400mW
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTUD3171PZT5G
功率：125mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：2个P沟道（双）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
输入电容：13.5pF@15V
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
功率：400mW
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
功率：225mW
输入电容：50pF@25V
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5468，"21+"：66398}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTND31015NZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.3pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT1N60CTF-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
