品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8280
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3050pF@40V
连续漏极电流:11A
功率:1W
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.2mΩ@11A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":31125,"17+":1650}
规格型号(MPN):NDD60N360U1-35G
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
功率:114W
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}
规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
功率:114W
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB11N60TM
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@10V
功率:125W
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":2723728,"MI+":12000}
规格型号(MPN):FDMA6676PZ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13.5mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
功率:2.4W
输入电容:2160pF@15V
类型:P沟道
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N06LTM
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2.5W€28W
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
输入电容:350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7630
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
功率:2.4W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":4000}
规格型号(MPN):FCPF400N80ZL1-F154
输入电容:2350pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N06LTM
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2.5W€28W
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF400N80Z
输入电容:2350pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA6676PZ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13.5mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
功率:2.4W
输入电容:2160pF@15V
类型:P沟道
栅极电荷:46nC@10V
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB11N60TM
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@10V
功率:125W
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7630
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
功率:2.4W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":6621}
规格型号(MPN):FDMD8280
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.2mΩ@11A,10V
漏源电压:80V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:3050pF@40V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
输入电容:2470pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:13mΩ@11A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
栅极电荷:62nC@10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCPF11N60
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
功率:36W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N06LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF400N80ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N06LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB11N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB11N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF11N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF11N60T
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N06LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":60000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4119NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@24V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@29A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: