首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌: ON SEMI
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    连续漏极电流: 11A
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8280 起订141个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8280 起订141个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8280

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:3050pF@40V

    连续漏极电流:11A

    功率:1W

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@11A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-35G 起订309个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-35G 起订309个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"13+":31125,"17+":1650}

    规格型号(MPN):NDD60N360U1-35G

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    功率:114W

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    输入电容:2470pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    栅极电荷:62nC@10V

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1T4G 起订309个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1T4G 起订309个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}

    规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    功率:114W

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:52nC@10V

    功率:125W

    漏源电压:600V

    输入电容:1490pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA6676PZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA6676PZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":2723728,"MI+":12000}

    规格型号(MPN):FDMA6676PZ

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13.5mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    功率:2.4W

    输入电容:2160pF@15V

    类型:P沟道

    栅极电荷:46nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:2.6V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:2.5W€28W

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    输入电容:350pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7630 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7630 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA7630

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@15V

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    功率:2.4W

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF400N80ZL1-F154 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF400N80ZL1-F154 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":4000}

    规格型号(MPN):FCPF400N80ZL1-F154

    输入电容:2350pF@100V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    栅极电荷:56nC@10V

    漏源电压:800V

    ECCN:EAR99

    功率:35.7W

    阈值电压:4.5V@1.1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:2.5W€28W

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:350pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF400N80Z 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF400N80Z 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF400N80Z

    输入电容:2350pF@100V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    栅极电荷:56nC@10V

    漏源电压:800V

    ECCN:EAR99

    功率:35.7W

    阈值电压:4.5V@1.1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA6676PZ 起订938个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA6676PZ 起订938个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA6676PZ

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13.5mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    功率:2.4W

    输入电容:2160pF@15V

    类型:P沟道

    栅极电荷:46nC@10V

    阈值电压:2.6V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:52nC@10V

    功率:125W

    漏源电压:600V

    输入电容:1490pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    输入电容:2470pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    栅极电荷:62nC@10V

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    输入电容:2470pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    栅极电荷:62nC@10V

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7630 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7630 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA7630

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@15V

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    功率:2.4W

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8280 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8280 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"23+":6621}

    规格型号(MPN):FDMD8280

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@11A,10V

    漏源电压:80V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:3050pF@40V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    输入电容:2470pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    栅极电荷:62nC@10V

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF11N60 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF11N60 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FCPF11N60

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    功率:36W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    输入电容:1490pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF400N80ZL1-F154 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF400N80ZL1-F154 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF400N80ZL1-F154

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35.7W

    阈值电压:4.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-1G 起订309个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1-1G 起订309个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF11N60F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF11N60F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF11N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6675BZ 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF11N60T 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF11N60T 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF11N60T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N06LTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N06LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4119NT3G 起订605个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4119NT3G 起订605个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":60000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4119NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@24V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@29A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧