品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
功率:630mW
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:750pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":20000}
规格型号(MPN):FDME1023PZT
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:142mΩ@2.3A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:405pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:950pF@10V
栅极电荷:12.3nC@4.5V
导通电阻:62mΩ@4A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
功率:630mW
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:750pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD2250N80Z
输入电容:585pF@100V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
阈值电压:4.5V@260µA
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
功率:39W
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
功率:630mW
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:750pF@15V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD2250N80Z
输入电容:585pF@100V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
阈值电压:4.5V@260µA
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.25Ω@1.3A,10V
功率:39W
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2650,"23+":36000,"MI+":3000}
规格型号(MPN):FDN86501LZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:5.4nC@10V
漏源电压:60V
输入电容:335pF@30V
导通电阻:116mΩ@2.6A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV8440ASTT1G
输入电容:155pF@35V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:59V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:4.5nC@4.5V
导通电阻:110mΩ@2.6A,10V
功率:1.69W
阈值电压:1.9V@100µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ661PZ
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:140mΩ@2A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:2.6A
功率:1.3W
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV8440ASTT1G
输入电容:155pF@35V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:59V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:4.5nC@4.5V
导通电阻:110mΩ@2.6A,10V
功率:1.69W
阈值电压:1.9V@100µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN306P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V
栅极电荷:17nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:1138pF@6V
漏源电压:12V
阈值电压:1.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:950pF@10V
栅极电荷:12.3nC@4.5V
导通电阻:62mΩ@4A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN86501LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:116mΩ@2.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ661PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN86501LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:116mΩ@2.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN86501LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:116mΩ@2.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@6V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":3954,"11+":2950,"12+":119518,"13+":750000,"18+":3000,"19+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@6V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV8440ASTT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.69W
阈值电压:1.9V@100µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@35V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.6A,10V
漏源电压:59V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:04+
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@6V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV8440ASTT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.69W
阈值电压:1.9V@100µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@35V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@2.6A,10V
漏源电压:59V
包装清单:商品主体 * 1
库存: