包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：244W

阈值电压：4V

栅极电荷：251nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：558A

类型：MOSFET

导通电阻：450μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMYS1D6N04CLTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107.1W€3.8W

阈值电压：3V@210μA

栅极电荷：71nC@10V

输入电容：4.301nF@25V

连续漏极电流：185A€35A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.6mΩ@50A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04C

工作温度：-55℃~+175℃

功率：4.1W€166W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：86nC@10V

输入电容：6.1nF@25V

连续漏极电流：48.9A€313A

类型：1个N沟道

导通电阻：0.87mΩ@50A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04C

工作温度：-55℃~+175℃

功率：4.1W€166W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：86nC@10V

输入电容：6.1nF@25V

连续漏极电流：48.9A€313A

类型：1个N沟道

导通电阻：0.87mΩ@50A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04C

工作温度：-55℃~+175℃

功率：4.1W€166W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：86nC@10V

输入电容：6.1nF@25V

连续漏极电流：48.9A€313A

类型：1个N沟道

导通电阻：0.87mΩ@50A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04C

工作温度：-55℃~+175℃

功率：4.1W€166W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：86nC@10V

输入电容：6.1nF@25V

连续漏极电流：48.9A€313A

类型：1个N沟道

导通电阻：0.87mΩ@50A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS4470

工作温度：-55℃~+175℃

功率：2.5W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：63nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.659nF@20V

连续漏极电流：12.5A

类型：1个N沟道

导通电阻：9mΩ@10V，12.5A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS4675

工作温度：-55℃~+175℃

功率：2.4W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：56nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.35nF@20V

连续漏极电流：11A

类型：1个P沟道

导通电阻：13mΩ@11A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.9W€134W

阈值电压：3.5V@180μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.855nF@25V

连续漏极电流：252A€43A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.15mΩ@50A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04C

工作温度：-55℃~+175℃

功率：4.1W€166W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：86nC@10V

输入电容：6.1nF@25V

连续漏极电流：48.9A€313A

类型：1个N沟道

导通电阻：0.87mΩ@50A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS4675

工作温度：-55℃~+175℃

功率：2.4W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：56nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.35nF@20V

连续漏极电流：11A

类型：1个P沟道

导通电阻：13mΩ@11A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.9W€134W

阈值电压：3.5V@180μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.855nF@25V

连续漏极电流：252A€43A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.15mΩ@50A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：12000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVTYS007N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：38W€3.1W

阈值电压：3.5V@30μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：10nC@10V

输入电容：674pF@25V

连续漏极电流：49A€14A

类型：1个N沟道

导通电阻：8.6mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS4675

工作温度：-55℃~+175℃

功率：2.4W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：56nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.35nF@20V

连续漏极电流：11A

类型：1个P沟道

导通电阻：13mΩ@11A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFWS2D3P04M8LT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.8W€205W

阈值电压：2.4V@2.7mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：157nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.985nF@20V

连续漏极电流：31A€222A

类型：1个P沟道

导通电阻：2.2mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2956，"23+"：9000}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：244W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：251nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：558A

类型：MOSFET

导通电阻：450μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2956，"23+"：9000}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：244W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：251nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：558A

类型：MOSFET

导通电阻：450μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：12000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVTYS007N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：38W€3.1W

阈值电压：3.5V@30μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：10nC@10V

输入电容：674pF@25V

连续漏极电流：49A€14A

类型：1个N沟道

导通电阻：8.6mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2488，"22+"：835，"23+"：1050}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS3D5N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：68W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：102A

类型：MOSFET

导通电阻：3.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMJST1D2N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：454W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：82nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：451A

类型：MOSFET

导通电阻：1.25mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04C

工作温度：-55℃~+175℃

功率：4.1W€166W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：86nC@10V

输入电容：6.1nF@25V

连续漏极电流：48.9A€313A

类型：1个N沟道

导通电阻：0.87mΩ@50A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMJST1D2N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：454W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：82nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：451A

类型：MOSFET

导通电阻：1.25mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS3D5N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：68W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：102A

类型：MOSFET

导通电阻：3.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2600}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS7D3N04CLTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：38W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：7.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：38W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：11nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：49A

类型：MOSFET

导通电阻：8.1mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMYS1D6N04CLTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107.1W€3.8W

阈值电压：3V@210μA

栅极电荷：71nC@10V

输入电容：4.301nF@25V

连续漏极电流：185A€35A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.6mΩ@50A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS2D4N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：138A

类型：MOSFET

导通电阻：2.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：38W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：11nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：49A

类型：MOSFET

导通电阻：8.1mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：4893}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMJST3D3N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：157A

类型：MOSFET

导通电阻：3.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS8D0N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：38W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：10nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：49A

类型：MOSFET

导通电阻：8.1mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1