销售单位：个

漏源导通电阻：100Ω

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：14pF@15V

功率：225mW

栅源击穿电压：30V

栅源截止电压：500mV@10nA

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：5mA@15V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：230mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

漏源导通电阻：125Ω

类型：P通道

ECCN：EAR99

输入电容：11pF@10V

功率：225mW

栅源击穿电压：30V

栅源截止电压：3V@10nA

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：7mA@15V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：24000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：254mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：18000，"06+"：21000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：15@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：230mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：202mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：5pF@10V

功率：225mW

栅源击穿电压：25V

栅源截止电压：2.5V@1nA

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：24mA@10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

漏源导通电阻：80Ω

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：16pF@20V

功率：350mW

栅源击穿电压：40V

栅源截止电压：1V@1nA

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：8mA@20V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：1643，"12+"：10277，"13+"：3397，"15+"：2000，"17+"：2439，"19+"：13}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：98000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCR169DRLRAG

断态峰值电压(Vdrm)：400V

通态峰值电压(Vtm)：1.7V

ECCN：EAR99

保持电流(Ih)：5mA

浪涌电流(Itsm)：10A

工作温度：-40℃~110℃

通态RMS电流(It(rms))：800mA

门极触发电流(Igt)：200µA

包装方式：卷带（TR）

门极触发电压(Vgt)：800mV

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：202mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：2N-通道（双）

ECCN：EAR99

输入电容：10.5pF@5V

功率：300mW

栅源击穿电压：15V

栅源截止电压：300mV@100µA

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：10mA@5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"06+"：52320，"07+"：18000，"08+"：3000，"10+"：72000，"13+"：186000，"15+"：108000，"16+"：108000，"MI+"：18000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：338mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：4pF@10V

功率：100mW

栅源击穿电压：30V

栅源截止电压：180mV@1µA

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：1.2mA@10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧，47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧，2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：385mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：260mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

漏源导通电阻：50Ω

类型：N通道

ECCN：EAR99

功率：350mW

栅源击穿电压：35V

栅源截止电压：1V@1µA

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：5mA@15V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

漏源导通电阻：250Ω

类型：P通道

ECCN：EAR99

功率：225mW

栅源击穿电压：30V

栅源截止电压：1V@10nA

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：2mA@15V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：1029990，"05+"：184000，"10+"：8000，"11+"：15550，"12+"：55575，"13+"：16000，"14+"：6850，"15+"：8000，"16+"：5777，"21+"：32000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：260mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：202mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：N通道

输入电容：6pF@5V

功率：400mW

栅源击穿电压：25V

栅源截止电压：1.8V@100µA

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：20mA@5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

漏源导通电阻：80Ω

类型：N通道

输入电容：16pF@20V

功率：350mW

栅源击穿电压：40V

栅源截止电压：1V@1nA

工作温度：-55℃~150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：8mA@20V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：44000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：1千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：1千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：321000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA / 650mV @ 5mA，100mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V / 220 @ 2mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，65V

功率：230mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：278}

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1