销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"04+"：24000，"05+"：36000，"06+"：92990，"08+"：21000，"10+"：2100000，"11+"：3000，"14+"：621000，"16+"：48603，"17+"：18000，"19+"：12000，"21+"：18000}

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"18+"：63825，"MI+"：15000}

输入电阻：10kOhms

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

电阻比：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）

ECCN：EAR99

晶体管类型：PNP - 预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：1kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

栅源击穿电压：15V

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

输入电容：10pF@5V

功率：200mW

类型：N通道

栅源截止电压：300mV@100µA

漏源饱和电流：10mA@5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

漏源饱和电流：14.5mA@5V

栅源截止电压：200mV@100µA

功率：200mW

类型：N通道

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

漏源饱和电流：14.5mA@5V

栅源截止电压：200mV@100µA

功率：200mW

类型：N通道

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"06+"：25333，"13+"：255000，"23+"：9000}

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

输入电阻：100kΩ

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"22+"：11210，"23+"：24000}

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10pF@5V

功率：200mW

类型：N通道

栅源截止电压：300mV@100µA

漏源饱和电流：10mA@5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8@5mA，10V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

栅源击穿电压：15V

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

漏源饱和电流：32mA@5V

输入电容：10pF@5V

功率：200mW

类型：N通道

栅源截止电压：700mV@100µA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10pF@5V

功率：200mW

类型：N通道

栅源截止电压：300mV@100µA

漏源饱和电流：10mA@5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"14+"：3000，"22+"：3000}

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：15@5mA，10V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1