采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：250mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"03+"：5975}
输入电阻：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
电阻比：22千欧
功率：250mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
电阻比：100千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：250mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：100千欧
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22千欧
电阻比：22千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：250mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：15@5mA，10V
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：250mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，10V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：1650
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：250mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：250mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，10V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
漏源导通电阻：60Ω
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
功率：250mW
漏源饱和电流：8mA@15V
类型：N通道
栅源截止电压：800mV@0.5nA
栅源击穿电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3@5mA，10V
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：2个PNP-预偏置
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
