销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：15@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8@5mA，10V

功率：246mW

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"15+"：129500}

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：50V

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集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：246mW

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ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

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销售单位：个

功率：246mW

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ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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包装方式：卷带（TR）

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集电极电流(Ic)：100mA

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销售单位：个

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ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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销售单位：个

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销售单位：个

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集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：246mW

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ECCN：EAR99

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销售单位：个

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晶体管类型：NPN-预偏压

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销售单位：个

功率：246mW

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销售单位：个

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晶体管类型：NPN-预偏压

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销售单位：个

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销售单位：个

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功率：246mW

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

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销售单位：个

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ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

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集电极电流(Ic)：100mA

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销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

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ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

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输入电阻：47kΩ

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

输入电阻：22kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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销售单位：个

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：10kΩ

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

输入电阻：22kΩ

功率：246mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

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晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

输入电阻：100kΩ

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

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包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

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包装清单：商品主体 * 1